|
حافظه SDRAM
EM63A165TS-6G
16Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TSOP-54
قیمت تک فروشی 906,156 ریال
قیمت عمده 865,922 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 849,829 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده841,782 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.052 تتر با تخفیف
5.545.285.175.12
|
توضیحات
SDRAM EM63A165 يک DRAM سنکرون CMOS با سرعت بالا است که داراي 256 مگابيت است. به صورت داخلي به صورت 4 بانک 2M word x 16 DRAM با يک رابط همزمان پيکربندي شده است (همه سيگنال ها در لبه مثبت سيگنال ساعت، CLK ثبت مي شوند).
دسترسي هاي خواندن و نوشتن به SDRAM به صورت انفجاري است. دسترسي ها از يک مکان انتخاب شده شروع مي شوند و براي تعداد برنامه ريزي شده مکان ها در يک دنباله برنامه ريزي شده ادامه مي يابند. دسترسي ها با ثبت يک فرمان BankActivate شروع مي شود که پس از آن يک دستور Read يا Write دنبال مي شود.
EM63A165 طول هاي پشت سر هم خواندن يا نوشتن قابل برنامه ريزي 1، 2، 4، 8 يا صفحه کامل را با گزينه خاتمه پشت سر هم فراهم مي کند. يک عملکرد پيش‌شارژ خودکار ممکن است براي ارائه يک پيش‌شارژ رديف خود زمان‌بندي‌شده که در پايان دنباله پشت سر هم آغاز مي‌شود، فعال شود. استفاده از عملکردهاي تازه سازي، خودکار يا Self Refresh، آسان است.
با داشتن يک رجيستر حالت قابل برنامه ريزي، سيستم مي تواند مناسب ترين حالت ها را براي به حداکثر رساندن عملکرد خود انتخاب کند. اين دستگاه‌ها براي برنامه‌هايي که به پهناي باند حافظه بالايي نياز دارند و مخصوصاً براي برنامه‌هاي رايانه‌اي با کارايي بالا مناسب هستند.
Description
The EM63A165 SDRAM is a high-speed CMOS synchronous DRAM containing 256 Mbits. It is internally configured as 4 Banks of 2M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK).
Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented; accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.
The EM63A165 provides for programmable Read or Write burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page, with a burst termination option. An auto precharge function may be enabled to provide a self-timed row precharge that is initiated at the end of the burst sequence. The refresh functions, either Auto or Self Refresh are easy to use.
By having a programmable mode register, the system can choose the most suitable modes to maximize its performance. These devices are well suited for applications requiring high memory bandwidth and particularly well suited to high performance PC applications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد