توضیحات
Micron® 64Mb SDRAM يک حافظه پرسرعت CMOS و با دسترسي تصادفي پويا حاوي 67108864 بيت است. به صورت داخلي به عنوان يک DRAM چهار بانک با يک رابط همزمان پيکربندي شده است (همه سيگنال ها در لبه مثبت سيگنال ساعت، CLK ثبت مي شوند).
هر يک از بانک هاي 16777216 بيتي x4 به صورت 4096 رديف در 1024 ستون در 4 بيت سازماندهي شده است. هر يک از بانک هاي 16777216 بيتي x8 به صورت 4096 رديف در 512 ستون در 8 بيت سازماندهي شده است.
هر يک از بانک هاي 16777216 بيتي x16 به صورت 4096 رديف در 256 ستون در 16 بيت سازماندهي شده است. دسترسي هاي خواندن و نوشتن به SDRAM به صورت انفجاري است. دسترسي ها از يک مکان انتخاب شده شروع مي شوند و براي تعداد برنامه ريزي شده مکان ها در يک دنباله برنامه ريزي شده ادامه مي يابند.
دسترسي ها با ثبت يک فرمان ACTIVE شروع مي شود که سپس يک دستور READ يا WRITE دنبال مي شود. بيت هاي آدرس ثبت شده همزمان با دستور ACTIVE براي انتخاب بانک و رديف مورد نظر استفاده مي شود.
Description
The Micron® 64Mb SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 67,108,864 bits. It is internally configured as a quadbank DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK).
Each of the x4’s 16,777,216-bit banks is organized as 4,096 rows by 1,024 columns by 4 bits. Each of the x8’s 16,777,216-bit banks is organized as 4,096 rows by 512 columns by 8 bits.
Each of the x16 s 16,777,216- bit banks is organized as 4,096 rows by 256 columns by 16 bits. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented; accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence.
Accesses begin with the registration of an ACTIVE command, which is then followed by a READ or WRITE command. The address bits registered coincident with the ACTIVE command are used to select the bank and row to be accessed .
|