توضیحات
K4S510432D / K4S510832D / K4S511632D 536,870,912 بيتي با سرعت داده بالا و RAM ديناميکي است که به صورت 4 x 33,554,432 کلمه در 4 بيت / 4 x 16,778,878,878 بيت / 4 x 16,778,878 در 26/4 کلمات 16 بيتي، ساخته شده با فناوري CMOS با کارايي بالا SAMSUNG. طراحي همزمان اجازه مي دهد تا کنترل چرخه دقيق با استفاده از ساعت سيستم تراکنش هاي ورودي/خروجي در هر چرخه ساعت امکان پذير است. محدوده فرکانس‌هاي عملياتي، طول انفجار قابل برنامه‌ريزي و تأخيرهاي قابل برنامه‌ريزي به همين دستگاه اجازه مي‌دهد براي انواع برنامه‌هاي کاربردي سيستم حافظه با پهناي باند بالا و کارايي بالا مفيد باشد.
Description
The K4S510432D / K4S510832D / K4S511632D is 536,870,912 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 33,554,432 words by 4 bits / 4 x 16,777,216 words by 8 bits / 4 x 8,388,608 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG s high performance CMOS technology. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
|