توضیحات
رم 128Mb SDRAM يک حافظه ديناميک CMOS با سرعت بالا است که در سيستم‌هايي با ولتاژ 3.3V Vdd و 3.3V Vddq کار مي‌کند و داراي 134,217,728 بيت ظرفيت مي‌باشد. اين حافظه به صورت داخلي به 4 بانک تقسيم شده که هر بانک شامل 33,554,432 بيت بوده و به صورت 4,096 سطر × 256 ستون × 32 بيت سازمان‌دهي شده است. رم داراي حالت‌هاي Auto Refresh و Power-down براي صرفه‌جويي در مصرف انرژي است و تمامي سيگنال‌ها در لبه مثبت کلاک ثبت مي‌شوند. ورودي‌ها و خروجي‌ها با سطح LVTTL سازگار هستند. اين SDRAM توانايي اجراي دستورات burst به صورت هم‌زمان و با نرخ بالا را دارد، همچنين مي‌تواند به صورت خودکار آدرس ستون‌ها را توليد کرده و بين بانک‌هاي داخلي interleave کند تا زمان precharge را پنهان نمايد.
Description
The 128Mb SDRAM is a high-speed CMOS dynamic RAM designed for 3.3V Vdd and 3.3V Vddq systems with a total capacity of 134,217,728 bits. Internally, it is configured as a quad-bank DRAM, with each 33,554,432-bit bank organized as 4,096 rows × 256 columns × 32 bits. It supports AUTO REFRESH and power-down modes for energy saving, and all signals are registered on the positive edge of the clock (CLK). Inputs and outputs are LVTTL compatible. This SDRAM supports high-speed synchronous burst operation with automatic column address generation, interleaving between banks to hide precharge time, and dynamic column address changes on each clock during burst access.
|