ماسفت RF
RD01MUS2B-T513
520MHz 1W RF POWER MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-89
قیمت تک فروشی 562,070 ریال
قیمت عمده 535,400 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 524,732 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده519,398 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.524 تتر با تخفیف
2.942.82.742.72
|
|
|
نوع محصول |
RF POWER MOSFET |
|
حداکثر دماي کاري |
125 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-40 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
12.5 وات |
|
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
10 ولت |
|
شرکت توليد کننده |
Mitsubishi |
|
توضیحات
RD01MUS2B-T513 يک ترانزيستور MOSFET قدرت سيليکوني است که به طور خاص براي استفاده در فرکانسهاي راديويي VHF و UHF طراحي شده است. اين قطعه الکترونيکي توسط شرکت ميتسوبيشي توليد ميشود و کاربردهاي گستردهاي در مدارهاي تقويتکننده RF پيدا ميکند.
مشخصات کليدي: فرکانس کاري: 527 مگاهرتز قدرت خروجي: 1 وات ولتاژ شکست: 7.2 ولت بستهبندي: SOT89 ويژگيها: بهره توان بالا، بازدهي بالا، ديود محافظ داخلي گيت
کاربردها: مرحلهي تقويتکننده در تقويتکنندههاي توان بالا VHF/UHF: به عنوان ترانزيستور راننده در تقويتکنندههايي استفاده ميشود که براي تقويت سيگنالهاي راديويي در باندهاي VHF و UHF به کار ميروند. راديوهاي موبايل باند: در طراحي مدارهاي فرستنده راديوهاي موبايل باند استفاده ميشود.
مزايا: بهره توان بالا: اين ترانزيستور قادر است سيگنالهاي ورودي را با بهره بسيار بالايي تقويت کند. بازدهي بالا: بازدهي بالاي اين ترانزيستور به معناي تلف شدن انرژي کمتر و کارايي بيشتر مدار است. ديود محافظ داخلي گيت: اين ويژگي از ترانزيستور در برابر ولتاژهاي گذرا محافظت ميکند
Description
The RD01MUS2B-T513 is a silicon power MOSFET transistor specifically designed for use in VHF and UHF radio frequencies. This electronic component is manufactured by Mitsubishi Corporation and finds wide application in RF amplifier circuits.
Key Specifications: Operating Frequency: 527 MHz Output Power: 1 W Breakdown Voltage: 7.2 V Package: SOT89 Features: High Power Gain, High Efficiency, Internal Gate Protection Diode
Applications: Amplifier Stage in VHF/UHF High Power Amplifiers: Used as a driver transistor in amplifiers used to amplify radio signals in the VHF and UHF bands. Band Mobile Radios: Used in the design of transmitter circuits for band mobile radios.
Advantages: High power gain: This transistor is capable of amplifying input signals with very high gain. High efficiency: The high efficiency of this transistor means less energy loss and greater circuit efficiency. Internal gate protection diode: This feature protects the transistor against transient voltages.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد