ماسفت RF

RD01MUS2B-T513

520MHz 1W RF POWER MOSFET

کیفیت: ORIGINAL(distributor)       پکیج: SOT-89

قیمت تک فروشی  562,070  ریال

قیمت عمده  535,400  ریال (10 به بالا)

قیمت ویژه  524,732  ریال (100 به بالا)

قیمت فوق العاده519,398  ریال (1000 به بالا)

SKYTECH قیمت تک فروشی 0.524  تتر با تخفیف

2.942.82.742.72

    



تعداد موجودی در انبار : 15 عدد



در صورت موجود شدن خبر بده
افزودن به علاقه مندی ها


تعداد درخواست:  

   






روش اتصال Smd    
پکيج SOT-89    
نوع محصول RF POWER MOSFET    
حداکثر دماي کاري 125     سانتيگراد
حداقل دماي کاري -40     سانتيگراد
ولتاژ VDS 25     ولت
Id 0.6     آمپر
حداکثر توان مصرفي 12.5     وات
حداکثر (Vgs(th 1.5     ولت
حداقل (Vgs(th 0.5     ولت
حداکثر ولتاژ گيت-سورس 10     ولت
شرکت توليد کننده Mitsubishi    



توضیحات

RD01MUS2B-T513 يک ترانزيستور MOSFET قدرت سيليکوني است که به طور خاص براي استفاده در فرکانس‌هاي راديويي VHF و UHF طراحي شده است. اين قطعه الکترونيکي توسط شرکت ميتسوبيشي توليد مي‌شود و کاربردهاي گسترده‌اي در مدارهاي تقويت‌کننده RF پيدا مي‌کند.

مشخصات کليدي:
فرکانس کاري: 527 مگاهرتز
قدرت خروجي: 1 وات
ولتاژ شکست: 7.2 ولت
بسته‌بندي: SOT89
ويژگي‌ها: بهره توان بالا، بازدهي بالا، ديود محافظ داخلي گيت

کاربردها:
مرحله‌ي تقويت‌کننده در تقويت‌کننده‌هاي توان بالا VHF/UHF: به عنوان ترانزيستور راننده در تقويت‌کننده‌هايي استفاده مي‌شود که براي تقويت سيگنال‌هاي راديويي در باندهاي VHF و UHF به کار مي‌روند.
راديوهاي موبايل باند: در طراحي مدارهاي فرستنده راديوهاي موبايل باند استفاده مي‌شود.

مزايا:
بهره توان بالا: اين ترانزيستور قادر است سيگنال‌هاي ورودي را با بهره بسيار بالايي تقويت کند.
بازدهي بالا: بازدهي بالاي اين ترانزيستور به معناي تلف شدن انرژي کمتر و کارايي بيشتر مدار است.
ديود محافظ داخلي گيت: اين ويژگي از ترانزيستور در برابر ولتاژهاي گذرا محافظت مي‌کند



Description

The RD01MUS2B-T513 is a silicon power MOSFET transistor specifically designed for use in VHF and UHF radio frequencies. This electronic component is manufactured by Mitsubishi Corporation and finds wide application in RF amplifier circuits.

Key Specifications:
Operating Frequency: 527 MHz
Output Power: 1 W
Breakdown Voltage: 7.2 V
Package: SOT89
Features: High Power Gain, High Efficiency, Internal Gate Protection Diode

Applications:
Amplifier Stage in VHF/UHF High Power Amplifiers: Used as a driver transistor in amplifiers used to amplify radio signals in the VHF and UHF bands.
Band Mobile Radios: Used in the design of transmitter circuits for band mobile radios.

Advantages:
High power gain: This transistor is capable of amplifying input signals with very high gain.
High efficiency: The high efficiency of this transistor means less energy loss and greater circuit efficiency.
Internal gate protection diode: This feature protects the transistor against transient voltages.







گروه بازرگانی اسکایتک

وارد كننده قطعات الکترونیک و نیمه هادی با بیش از پنج سال تجربه افتخار دارد با عرضه محصولات اصلی ، با كیفیت و استاندارد جهت ارج نهادن به سلیقه توزیع كنندگان متعهد در راستای حفاظت از منافع و مصالح مصرف كنندگان نهایی گام بردارد.
فروشگاه اسکای تک با حمایت كم نظیر مشتریان خوش نام و فعال به عنوان گروهی پیشرو در ایران ، موفق به اخذ نمایندگی انحصاری و توزیع بسیاری از كمپانی های معتبر جهان در یك مجموعه گردیده است . استقبال چشمگیر مشتریان صادق و مصرف كنندگان فهیم از خرید قطعات الکترونیک با كیفیت در مقابل قطعات نامرغوب و غیر استاندارد وارداتی، موجب گردآوری طیف وسیعی (بالغ بر 40000 قلم كالا)‌ از قطعات الکترونیک گوناگون دراین فروشگاه شده است.

کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد