فت کانال N

G1N65R035TB-N

650V GaN FET (field-effect transistor)

کیفیت: ORIGINAL(distributor)       پکیج: TO-247

قیمت تک فروشی  7,535,925  ریال

قیمت عمده  7,183,500  ریال (10 به بالا)

قیمت ویژه  7,042,530  ریال (100 به بالا)

قیمت فوق العاده6,972,045  ریال (1000 به بالا)

SKYTECH قیمت تک فروشی 7.005  تتر با تخفیف

38.853736.2635.89

    



تعداد موجودی در انبار : موجودی تمام شده است



در صورت موجود شدن خبر بده
افزودن به علاقه مندی ها


تعداد درخواست:  

   






روش اتصال Dip    
پکيج TO-247    
نوع محصول FET    
حداکثر دماي کاري 150     سانتيگراد
حداقل دماي کاري -55     سانتيگراد
ولتاژ VDS 650     ولت
Id 46.5     آمپر
حداکثر توان مصرفي 156     وات
حداکثر (Vgs(th 4.8     ولت
(td(ON 60     نانو ثانيه
(td(OFF 94     نانو ثانيه
زمان خيز Tr 10     نانو ثانيه
زمان افت Tf 10     نانو ثانيه
حداقل (Vgs(th 3.3     ولت
حداکثر ولتاژ گيت-سورس 20     ولت
ظرفيت خازني ورودي Ciss 1500     پيکو فاراد
ظرفيت خازني خروجي Coss 147     پيکو فاراد
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss 5     پيکو فاراد
مقاومت روشن درين سورس (Rds) 0.041     اهم
نوع کانال MOSFET N    
مجموع شارژ کامل Qg 22     نانو کولن
شرکت توليد کننده GANEXT    



توضیحات

G1N65R035TB-N يک نوع ترانزيستور اثر ميداني (FET) است که از ماده نيتريد گاليم (GaN) ساخته شده است. اين ترانزيستورها به دليل ويژگي‌هاي منحصر به فردشان، در بسياري از کاربردهاي الکترونيکي قدرت، به‌ويژه در صنايع الکترونيک مصرفي، خودرو و انرژي‌هاي تجديدپذير، مورد استفاده قرار مي‌گيرند.

مشخصات کليدي G1N65R035TB-N:
ولتاژ شکست: 650 ولت
جريان تخليه: بسته به شرايط کاري متفاوت است
بسته‌بندي: معمولاً در بسته‌بندي TO-247 عرضه مي‌شود
کاربرد: در مدارهاي سوئيچينگ با فرکانس بالا، مبدل‌هاي DC-DC، اينورترها و شارژرهاي سريع استفاده مي‌شود

کاربردهاي G1N65R035TB-N:
تغذيه‌هاي سوئيچينگ: به دليل راندمان بالا و سرعت سوئيچينگ بالا، در تغذيه‌هاي سوئيچينگ براي دستگاه‌هاي الکترونيکي مصرفي، خودروها و صنايع مختلف استفاده مي‌شود.
اينورترها: در اينورترهاي فرکانس بالا براي کنترل موتورهاي AC استفاده مي‌شود.
شارژرهاي سريع: در شارژرهاي سريع براي دستگاه‌هاي الکترونيکي قابل حمل مانند تلفن همراه و لپ‌تاپ استفاده مي‌شود.
سيستم‌هاي خورشيدي: در مبدل‌هاي DC-AC براي سيستم‌هاي خورشيدي استفاده مي‌شود.



Description

G1N65R035TB-N is a type of field effect transistor (FET) made of gallium nitride (GaN) material. Due to their unique characteristics, these transistors are used in many power electronic applications, especially in the consumer electronics, automotive and renewable energy industries.

Key Specifications of G1N65R035TB-N:
Breakdown Voltage: 650 V
Discharge Current: Varies depending on operating conditions
Packaging: Typically comes in TO-247 package
Application: Used in high-frequency switching circuits, DC-DC converters, inverters and fast chargers

Applications of G1N65R035TB-N:
Switching Power Supplies: Due to their high efficiency and high switching speed, they are used in switching power supplies for consumer electronics, automotive and various industries.
Inverters: Used in high frequency inverters to control AC motors.
Fast chargers: Used in fast chargers for portable electronic devices such as mobile phones and laptops.
Solar systems: Used in DC-AC converters for solar systems.







گروه بازرگانی اسکایتک

وارد كننده قطعات الکترونیک و نیمه هادی با بیش از پنج سال تجربه افتخار دارد با عرضه محصولات اصلی ، با كیفیت و استاندارد جهت ارج نهادن به سلیقه توزیع كنندگان متعهد در راستای حفاظت از منافع و مصالح مصرف كنندگان نهایی گام بردارد.
فروشگاه اسکای تک با حمایت كم نظیر مشتریان خوش نام و فعال به عنوان گروهی پیشرو در ایران ، موفق به اخذ نمایندگی انحصاری و توزیع بسیاری از كمپانی های معتبر جهان در یك مجموعه گردیده است . استقبال چشمگیر مشتریان صادق و مصرف كنندگان فهیم از خرید قطعات الکترونیک با كیفیت در مقابل قطعات نامرغوب و غیر استاندارد وارداتی، موجب گردآوری طیف وسیعی (بالغ بر 40000 قلم كالا)‌ از قطعات الکترونیک گوناگون دراین فروشگاه شده است.

کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد