فت کانال N
IRFD1Z3
N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: DIP-4
قیمت تک فروشی 332,325 ریال
قیمت عمده 294,606 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 289,074 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده286,308 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.472 تتر با تخفیف
2.52.22.162.13
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
25 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
20 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
50 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
20 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
5 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
2.4 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
3 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
Harris Corporation |
|
توضیحات
IRFD1ZO، IRFD1Z1، IRFD1Z2، و IRFD1Z3 ترانزيستورهاي اثر ميدان قدرت سيليکوني گيت با حالت ارتقاء کانال n هستند که براي کاربردهايي مانند تنظيم کننده هاي سوئيچينگ، مبدل هاي سوئيچينگ، درايورهاي موتور، درايورهاي رله و درايورهاي ترانزيستورهاي سوئيچينگ دوقطبي پرقدرت طراحي شده اند. اين نوع را مي توان مستقيماً از مدارهاي مجتمع کار کرد.
انواع IRFD در بسته 4 پين DIP عرضه مي شود.
Description
The IRFD1ZO, IRFD1Z1, IRFD1Z2, and IRFD1Z3 are n-channel enhancement-mode silicon-gate power field-effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high-power bipolar switching transistors.These types can be operated directly from integrated circuits.
The IRFD types are supplied in the 4-pin DIP package.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد