|
فت GaN
IGT60R070D1
600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: PG-HSOF-8-3
قیمت تک فروشی 3,984,495 ریال
قیمت عمده 3,795,900 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 3,720,462 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده3,682,743 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 3.715 تتر با تخفیف
20.7919.819.419.21
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
125 وات |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| زمان افت Tf |
15 نانو ثانيه |
|
|
|
| حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
10 ولت |
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
380 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
72 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
0.3 پيکو فاراد |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.07 اهم |
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
41 نانو کولن |
|
| شرکت توليد کننده |
INFINEON |
|
توضیحات
IGT60R070D1 يک ترانزيستور قدرتمند و سريع است که بر پايه فناوري گاليم نيترايد (GaN) ساخته شده است. اين ترانزيستور توسط شرکت اينفينيون توليد مي‌شود و در بسياري از کاربردهاي الکترونيکي قدرت، به ويژه در حوزه‌هاي الکترونيک خودرو، شارژرهاي سريع و سيستم‌هاي قدرت صنعتي، مورد استفاده قرار مي‌گيرد.
ويژگي‌هاي کليدي IGT60R070D1:
ولتاژ شکست بالا: اين ترانزيستور قادر است ولتاژهاي بسيار بالايي را تحمل کند و در مداراتي با ولتاژ بالا مورد استفاده قرار گيرد.
سرعت سوئيچينگ بسيار بالا: سرعت سوئيچينگ بسيار بالاي اين ترانزيستور باعث مي‌شود تا در فرکانس‌هاي بالا کار کند و راندمان سيستم را افزايش دهد.
شارژ معکوس بسيار کم: شارژ معکوس کم اين ترانزيستور باعث کاهش تلفات سوئيچينگ و افزايش راندمان مي‌شود.
مقاومت داخلي کم: مقاومت داخلي کم اين ترانزيستور باعث کاهش تلفات توان و افزايش راندمان مي‌شود.
پايداري حرارتي بالا: اين ترانزيستور در برابر تغييرات دمايي بسيار مقاوم است و در محيط‌هاي با دماي بالا نيز عملکرد خوبي دارد.
مزاياي استفاده از IGT60R070D1:
افزايش راندمان: سرعت سوئيچينگ بالا، شارژ معکوس کم و مقاومت داخلي کم باعث افزايش راندمان سيستم مي‌شوند.
کاهش اندازه و وزن: به دليل عملکرد بهتر در فرکانس‌هاي بالا، امکان استفاده از ترانسفورماتورهاي کوچکتر و خازن‌هاي با ظرفيت کمتر وجود دارد که منجر به کاهش اندازه و وزن سيستم مي‌شود.
افزايش چگالي توان: اين ترانزيستور امکان طراحي سيستم‌هاي با چگالي توان بالاتر را فراهم مي‌کند.
کاهش تلفات حرارتي: تلفات حرارتي کمتر باعث افزايش عمر مفيد سيستم مي‌شود.
Description
The IGT60R070D1 is a powerful and fast transistor based on gallium nitride (GaN) technology. It is manufactured by Infineon and is used in many power electronics applications, especially in the fields of automotive electronics, fast chargers and industrial power systems.
Key features of the IGT60R070D1:
High breakdown voltage: This transistor is able to withstand very high voltages and can be used in high-voltage circuits.
Very high switching speed: The very high switching speed of this transistor allows it to operate at high frequencies and increase system efficiency.
Very low reverse charge: The low reverse charge of this transistor reduces switching losses and increases efficiency.
Low internal resistance: The low internal resistance of this transistor reduces power losses and increases efficiency.
High thermal stability: This transistor is very resistant to temperature changes and performs well in high-temperature environments.
Advantages of using IGT60R070D1:
Increase in efficiency: High switching speed, low reverse charge, and low internal resistance increase system efficiency.
Reduce size and weight: Due to better performance at high frequencies, it is possible to use smaller transformers and capacitors with lower capacitance, which leads to a reduction in system size and weight.
Increase in power density: This transistor allows the design of systems with higher power density.
Reduce heat loss: Lower heat loss increases the useful life of the system.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد