|
IGBT کانال N
HGTP3N60A4D
600V N-Channel IGBT
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 979,145 ریال
قیمت عمده 916,909 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 899,483 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده890,770 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.39 تتر با تخفیف
7.426.936.796.72
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
توضیحات
ترانزيستور دوقطبي گيت عايق يک دستگاه نيمه هادي قدرت سه ترمينالي است که در درجه اول يک سوئيچ الکترونيکي را تشکيل مي دهد. اين براي ترکيب بازده بالا با سوئيچينگ سريع توسعه يافته است. اين شامل چهار لايه متناوب است که توسط يک ساختار دروازه فلز-اکسيد-نيمه هادي کنترل مي شود.
Description
insulated-gate bipolar transistor is a three-terminal power semiconductor device primarily forming an electronic switch. It was developed to combine high efficiency with fast switching. It consists of four alternating layers that are controlled by a metal–oxide–semiconductor gate structure
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد