IGBT
IRGP4066D
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
کیفیت: Bulk(فله ایی) پکیج: TO-247AD
قیمت تک فروشی 2,126,914 ریال
قیمت عمده 2,006,213 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,967,589 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,948,276 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 3.019 تتر با تخفیف
16.3215.3615.0514.9
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
225 وات |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
454 نانو کولن |
|
توضیحات
IRGP4066DPBF از نوع IGBT و N-CHannel با تحمل ولتاژ 600 ولت و75 امپر مي باشد.
IGBT يک دستگاه نيمه هادي جريان سه ترميناله است که به عنوان يک سوئيچ الکترونيکي به گونه اي توليد شده بود که جهت ترکيب راندمان بالا و تعويض سريع استفاده مي شود. اين وسيله جريان را در بسياري از وسايل مدرن مانند درايوهاي فرکانس متغير (VFDs) و اتومبيل هاي برقي، قطار، يخچال و فريزر سرعت متغير، بالاست لامپ، سيستم هاي تهويه مطبوع و حتي سيستم هاي استريو با تقويت کننده هاي سوئيچينگ انتقال مي دهد. IGBT يک دستگاه نيمه هادي با چهار لايه متناوب (P-N-P-N) مي باشد که توسط اکسيد فلزي نيمه هادي (MOS) ساختار درب بدون عمل احيا کننده کنترل مي شود.
Description
IRGP4066DPBF is an IGBT and N-Channel with a voltage tolerance of 600 volts and 75 amps.
IGBT is a three-terminal current semiconductor device that was produced as an electronic switch in such a way that it is used to combine high efficiency and fast switching. This device transmits current in many modern devices such as variable frequency drives (VFDs) and electric cars, trains, variable speed refrigerators and freezers, lamp ballasts, air conditioning systems and even stereo systems with switching amplifiers. IGBT is a semiconductor device with four alternating layers (P-N-P-N) which is controlled by a metal oxide semiconductor (MOS) gate structure without regenerative action.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد