|
IGBT
RJP6065
630V 40A Silicon N-Channel IGBT
کیفیت: Refurbished پکیج: TO-220F
قیمت تک فروشی 648,134 ریال
قیمت عمده 620,127 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 608,925 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده603,323 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.92 تتر با تخفیف
4.684.464.374.32
|
|
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| IGBT RISE TIME |
90 نانو ثانيه |
|
| IGBT FALL TIME |
450 نانو ثانيه |
|
توضیحات
ترانزيستور دوقطبي گيت عايق يک دستگاه نيمه هادي قدرت سه ترمينالي است که در درجه اول يک سوئيچ الکترونيکي را تشکيل مي دهد. اين براي ترکيب بازده بالا با سوئيچينگ سريع توسعه يافته است. اين شامل چهار لايه متناوب است که توسط يک ساختار دروازه فلز-اکسيد-نيمه هادي کنترل مي شود.
Description
insulated-gate bipolar transistor is a three-terminal power semiconductor device primarily forming an electronic switch. It was developed to combine high efficiency with fast switching. It consists of four alternating layers that are controlled by a metal–oxide–semiconductor gate structure
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد