IGBT

KGF40N120KDA-U/P

1200V 80A Field Stop Trench IGBTs

کیفیت: ORIGINAL(distributor)       پکیج: TO-247

قیمت تک فروشی  1,587,182  ریال

قیمت عمده  1,518,030  ریال (10 به بالا)

قیمت ویژه  1,490,369  ریال (100 به بالا)

قیمت فوق العاده1,476,539  ریال (1000 به بالا)

SKYTECH قیمت تک فروشی 2.253  تتر با تخفیف

11.551110.7810.67

    



تعداد موجودی در انبار : موجودی تمام شده است



در صورت موجود شدن خبر بده
افزودن به علاقه مندی ها


تعداد درخواست:  

   






روش اتصال DIP    
پکيج TO-247    
نوع محصول IGBT    
حداکثر دماي کاري 150     سانتيگراد
حداقل دماي کاري -55     سانتيگراد
حداکثر توان مصرفي 357     وات
(td(ON 60     نانو ثانيه
(td(OFF 350     نانو ثانيه
مجموع شارژ کامل Qg 350     نانو کولن
IGBT RISE TIME 50     نانو ثانيه
IGBT FALL TIME 175     نانو ثانيه
ولتاژ VCEO 1200     ولت
سازنده KEC Semicon    
حداکثر ولتاژ گيت اميتر 20     ولت



توضیحات

KEC Field Stop Trench IGBT تلفات سوئيچينگ کم، راندمان انرژي بالا و استحکام اتصال کوتاه را ارائه مي دهد. براي کاربردهايي مانند کنترل موتور، منابع تغذيه بدون وقفه (UPS)، اينورترهاي عمومي طراحي شده است.IGBT ترکيبي از ترانزيستورهاي BJT و MOSFET است. IGBT از نقطه نظر ورودي يک MOSFET و از نقطه نظر خروجي BJT است. BJT و MOSFET داراي ويژگي هايي هستند که از برخي ديدگاه ها مکمل يکديگر هستند. BJT ها در حالت روشن (اتصال) تلفات رسانايي کمتري دارند، در حالي که زمان سوئيچينگ آنها طولاني تر است، به خصوص هنگامي که خاموش هستند. ماسفت‌ها مي‌توانند خيلي سريع‌تر روشن و خاموش شوند، بنابراين تلفات هدايت آنها بيشتر است. IGBT ترانزيستوري است که داراي مزاياي BJT و MOSFET است. مانند امپدانس ورودي بالا (مانند MOSFET)، افت و تلفات ولتاژ پايين (مانند BJT)، ولتاژ پايين در حالت (مانند BJT) و نام پايه هاي IGBT از نام پايه هاي BJT و MOSFET گرفته شده است. گيت از MOSFET و جمع کننده و اميتر از BJT. مهمترين و تقريباً تنها عملکرد IGBT سوئيچينگ جريان هاي بالا است.



Description

KEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters.IGBT is a combination of BJT and MOSFET transistors. The IGBT is a MOSFET from the input point of view, and a BJT from the output point of view. BJT and MOSFET have characteristics that complement each other from some points of view. BJTs have lower conduction losses in the on (connected) state, while their switching times are longer, especially when turned off. MOSFETs are able to switch on and off much faster, so their conduction losses are higher. IGBT is a transistor that has the advantages of BJT and MOSFET. such as high input impedance (such as MOSFET), low voltage drop and losses (such as BJT), low on-state voltage (such as BJT), and the names of IGBT bases are derived from the names of BJT and MOSFET bases; Gate from MOSFET, and collector and emitter from BJT. The most important and almost the only function of IGBT is switching high currents.







گروه بازرگانی اسکایتک

وارد كننده قطعات الکترونیک و نیمه هادی با بیش از پنج سال تجربه افتخار دارد با عرضه محصولات اصلی ، با كیفیت و استاندارد جهت ارج نهادن به سلیقه توزیع كنندگان متعهد در راستای حفاظت از منافع و مصالح مصرف كنندگان نهایی گام بردارد.
فروشگاه اسکای تک با حمایت كم نظیر مشتریان خوش نام و فعال به عنوان گروهی پیشرو در ایران ، موفق به اخذ نمایندگی انحصاری و توزیع بسیاری از كمپانی های معتبر جهان در یك مجموعه گردیده است . استقبال چشمگیر مشتریان صادق و مصرف كنندگان فهیم از خرید قطعات الکترونیک با كیفیت در مقابل قطعات نامرغوب و غیر استاندارد وارداتی، موجب گردآوری طیف وسیعی (بالغ بر 40000 قلم كالا)‌ از قطعات الکترونیک گوناگون دراین فروشگاه شده است.

کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد