|
ترانزیستور IGBT
TGAN40N120FDR
IGBT Features • 1200V Field Stop Trench Technology • High Speed Switching • Low Conduction Loss
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-3P
قیمت تک فروشی 1,418,878 ریال
قیمت عمده 1,362,300 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,337,154 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,324,581 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 2.014 تتر با تخفیف
10.45109.89.7
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
| حداکثر توان مصرفي |
500 وات |
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
5260 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
170 پيکو فاراد |
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
480 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور دوقطبي گيت عايق يک وسيله نيمه هادي قدرت سه ترمينالي است که در درجه اول يک سوئيچ الکترونيکي را تشکيل مي دهد. اين براي ترکيب بازده بالا با سوئيچينگ سريع توسعه يافته است. اين شامل چهار لايه متناوب است که توسط ساختار دروازه نيمه هادي فلز-اکسيد کنترل مي شود.
Description
An insulated-gate bipolar transistor is a three-terminal power semiconductor device primarily forming an electronic switch. It was developed to combine high efficiency with fast switching. It consists of four alternating layers that are controlled by a metal–oxide semiconductor gate structure.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد