|
IGBT پرسرعت
IKW50H603
600V 50A High speed IGBT in Trench and Field stop technology
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 5,956,377 ریال
قیمت عمده 5,682,740 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 5,573,285 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده5,518,558 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 3.083 تتر با تخفیف
13.2412.6112.3612.23
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
توضیحات
ترانزيستور دوقطبي گيت عايق يک وسيله نيمه هادي قدرت سه ترمينالي است که در درجه اول يک سوئيچ الکترونيکي را تشکيل مي دهد. اين براي ترکيب بازده بالا با سوئيچينگ سريع توسعه يافته است. اين شامل چهار لايه متناوب است که توسط يک ساختار دروازه فلز-اکسيد-نيمه هادي کنترل مي شود.
Description
An insulated-gate bipolar transistor is a three-terminal power semiconductor device primarily forming an electronic switch. It was developed to combine high efficiency with fast switching. It consists of four alternating layers that are controlled by a metal–oxide–semiconductor gate structure.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد