|
IGBT
AUIRGPS4067D1
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
کیفیت: Refurbished پکیج: PG-TO274-3-903
قیمت تک فروشی 8,225,570 ریال
قیمت عمده 7,840,836 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 7,686,942 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده7,609,996 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 11.366 تتر با تخفیف
62.3759.458.2157.62
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
| حداکثر توان مصرفي |
750 وات |
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
360 نانو کولن |
|
| IGBT RISE TIME |
82 نانو ثانيه |
|
| IGBT FALL TIME |
51 نانو ثانيه |
|
|
|
|
|
|
|
| سازنده |
International rectifier |
|
| حداکثر ولتاژ گيت اميتر |
30 ولت |
|
توضیحات
IGBT ترکيبي از ترانزيستورهاي BJT و MOSFET است. IGBT از نقطه نظر ورودي يک MOSFET و از نقطه نظر خروجي BJT است. BJT و MOSFET داراي ويژگي هايي هستند که از برخي ديدگاه ها مکمل يکديگر هستند. BJT ها در حالت روشن (اتصال) تلفات رسانايي کمتري دارند، در حالي که زمان سوئيچينگ آنها طولاني تر است، به خصوص هنگامي که خاموش هستند.
ماسفت ها مي توانند با سرعت بيشتري روشن و خاموش شوند، بنابراين تلفات هدايت آنها بيشتر است. IGBT ترانزيستوري است که داراي مزاياي BJT و MOSFET است. مانند امپدانس ورودي بالا (مانند MOSFET)، افت و تلفات ولتاژ پايين (مانند BJT)، ولتاژ پايين در حالت (مانند BJT) و نام پايه هاي IGBT از نام پايه هاي BJT و MOSFET گرفته شده است. گيت از MOSFET و جمع کننده و اميتر از BJT. مهمترين و تقريباً تنها عملکرد IGBT سوئيچينگ جريان هاي بالا است.
Description
IGBT is a combination of BJT and MOSFET transistors. The IGBT is a MOSFET from the input point of view and a BJT from the output point of view. BJT and MOSFET have characteristics that complement each other from some points of view. BJTs have lower conduction losses in the on (connection) state, while their switching times are longer, especially when they are off.
MOSFETs can turn on and off faster, so their conduction losses are higher. IGBT is a transistor that has the advantages of BJT and MOSFET. Such as high input impedance (like MOSFET), low voltage loss (like BJT), low on-state voltage (like BJT) and the names of IGBT bases are derived from the names of BJT and MOSFET bases. Gate of MOSFET and collector and emitter of BJT. The most important and almost the only function of the IGBT is the switching of high currents.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد