IGBT
GT60J323
NChannel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: 2-21F2C
قیمت تک فروشی 1,409,996 ریال
قیمت عمده 1,347,020 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,321,830 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,309,234 ریال (1000 به بالا)
![SKYTECH](bootstrap/img/Icon/tether.png) قیمت تک فروشی 2.214 تتر با تخفیف
12.61211.7611.64
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر توان مصرفي |
170 وات |
|
توضیحات
GT60J323 يک IGBT منفي ميباشد.
اين قطعه که در سال 1980 توسط شرکت معتبر جنرال الکتريک معرفي شد که
ترکيبي بسيار کارآمد و هوشمندانه از بهترين بخش هاي دو ترانزيستور پيوندي دو قطبي (BJT) و ترانزيستور اثر ميدان (MOSFET) است.
ويژگي هاي منحصر به فرد اين قطعه، امپدانس ورودي بزرگ، سرعت سوئيچينگ بالا و ولتاژ اشباع پايين آن است.
Description
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT60J323H
Current Resonance Inverter Switching -Application
Induction Heating- Cooking Appliances
• Enhancement mode type
• High speed : tf = 0.12 us (typ.) (IC = 60A)
• Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.1 V (typ.) (IC = 60A)
• FRD included between emitter and collector
• Fourth generation IGBT
• TO-3P(LH) (Toshiba package name)
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد