|
IGBT کانال N
JNG25N120AI
1200V 25A N-CHANNEL IGBT
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-3P INS
قیمت تک فروشی 1,813,824 ریال
قیمت عمده 1,736,100 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,705,010 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,689,466 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 2.502 تتر با تخفیف
12.61211.7611.64
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
130 نانو کولن |
|
| IGBT RISE TIME |
35 نانو ثانيه |
|
| IGBT FALL TIME |
170 نانو ثانيه |
|
توضیحات
JIAEN NPT IGBT تلفات کمتر و راندمان انرژي بالاتر را براي کاربردهايي مانند IH (گرمايش القايي)، UPS، اينورتر عمومي و ساير کاربردهاي سوئيچينگ نرم ارائه مي دهد.
IGBT ترکيبي از ترانزيستورهاي BJT و MOSFET است. IGBT از نقطه نظر ورودي يک MOSFET و از نقطه نظر خروجي BJT است. BJT و MOSFET داراي ويژگي هايي هستند که از برخي ديدگاه ها مکمل يکديگر هستند. BJT ها در حالت روشن (اتصال) تلفات رسانايي کمتري دارند، در حالي که زمان سوئيچينگ آنها طولاني تر است، به خصوص هنگامي که خاموش هستند. ماسفت‌ها مي‌توانند خيلي سريع‌تر روشن و خاموش شوند، بنابراين تلفات هدايت آنها بيشتر است. IGBT ترانزيستوري است که داراي مزاياي BJT و MOSFET است. مانند امپدانس ورودي بالا (مانند MOSFET)، افت و تلفات ولتاژ پايين (مانند BJT)، ولتاژ پايين در حالت (مانند BJT) و نام پايه هاي IGBT از نام پايه هاي BJT و MOSFET گرفته شده است. گيت از MOSFET و جمع کننده و اميتر از BJT. مهمترين و تقريباً تنها عملکرد IGBT سوئيچينگ جريان هاي بالا است.
Description
JIAEN NPT IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as IH (induction heating),UPS, general inverter and other soft switching applications.IGBT is a combination of BJT and MOSFET transistors. The IGBT is a MOSFET from the input point of view, and a BJT from the output point of view. BJT and MOSFET have characteristics that complement each other from some points of view. BJTs have lower conduction losses in the on (connected) state, while their switching times are longer, especially when turned off. MOSFETs are able to switch on and off much faster, so their conduction losses are higher. IGBT is a transistor that has the advantages of BJT and MOSFET. such as high input impedance (such as MOSFET), low voltage drop and losses (such as BJT), low on-state voltage (such as BJT), and the names of IGBT bases are derived from the names of BJT and MOSFET bases; Gate from MOSFET, and collector and emitter from BJT. The most important and almost the only function of IGBT is switching high currents.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد