|
IGBT کانال N
HGTG40N60A4
600V SMPS Series N-Channel IGBT
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247-3LD
قیمت تک فروشی 2,006,997 ریال
قیمت عمده 1,916,754 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,880,657 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,862,609 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 2.849 تتر با تخفیف
15.0714.3614.0713.92
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
+150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
توضیحات
HGTG40N60A4 يک دستگاه سوئيچينگ ولتاژ بالا دردار MOS است که بهترين ويژگي هاي ماسفت و ترانزيستور دوقطبي را ترکيب مي کند. اين دستگاه داراي امپدانس ورودي بالاي ماسفت و افت رسانايي در حالت پايين ترانزيستور دوقطبي است. افت ولتاژ بسيار کمتر در حالت فقط به طور متوسط بين 25 درجه سانتي گراد و 150 درجه سانتي گراد تغيير مي کند. اين IGBT براي بسياري از برنامه هاي سوئيچينگ ولتاژ بالا که در فرکانس هاي بالا کار مي کنند که تلفات رسانش کم ضروري است ايده آل است. اين دستگاه براي منابع تغذيه حالت سوئيچ فرکانس بالا بهينه شده است.IGBT ترکيبي از ترانزيستورهاي BJT و MOSFET است. IGBT از نقطه نظر ورودي يک MOSFET و از نقطه نظر خروجي BJT است. BJT و MOSFET داراي ويژگي هايي هستند که از برخي ديدگاه ها مکمل يکديگر هستند.
Description
The HGTG40N60A4 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFET and a bipolar transistor. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25C and 150 C. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.IGBT is a combination of BJT and MOSFET transistors. The IGBT is a MOSFET from the input point of view, and a BJT from the output point of view. BJT and MOSFET have characteristics that complement each other from some points of view.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد