|
IGBT سرعت بالا
IRG4PC60F
600V 60A Fast Speed insulated gate bipolar transistor (IGBT)
کیفیت: Refurbished پکیج: TO-247AC
قیمت تک فروشی 880,599 ریال
قیمت عمده 842,880 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 827,792 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده820,249 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.25 تتر با تخفیف
6.365.885.82
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
520 وات |
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
340 نانو کولن |
|
| IGBT RISE TIME |
66 نانو ثانيه |
|
| IGBT FALL TIME |
300 نانو ثانيه |
|
|
|
|
|
| سازنده |
International Rectifier |
|
| حداکثر ولتاژ گيت اميتر |
20 ولت |
|
توضیحات
IGBT ترکيبي از دو ترانزيستور BJT و ماسفت است. IGBT از ديد ورودي، يک ماسفت، و از ديد خروجي يک BJT است. BJT و ماسفت داراي خصوصياتي هستند که از نقطه نظرهايي يکديگر را تکميل مي‌کنند. BJTها در حالت روشن (وصل) داراي تلفات هدايتي کمتري هستند، درحاليکه زمان سوئيچينگ آن‌ها به خصوص هنگام خاموش شدن طولاني‌تر است. ماسفت‌ها قادرند که به مراتب سريعتر قطع و وصل شوند، بنابراين تلفات هدايت آن‌ها بيشتر است. IGBT ترانزيستوري است که مزاياي BJT و ماسفت را باهم دارد؛ مانند امپدانس ورودي بالا (مانند ماسفت) افت ولتاژ و تلفات کم (مانند BJT) ولتاژ حالت روشن (وصل) کم (مانند BJT) نام پايه‌هاي IGBT هم از نام پايه‌هاي BJT و ماسفت گرفته شده‌است؛ گِيت از ماسفت، و کلکتور و اميتر هم از BJT. مهم‌ترين و تقريباً تنها کارايي IGBT، سوييچينگ جريان‌هاي بالا است.
.
Description
IGBT is a combination of BJT and MOSFET transistors. The IGBT is a MOSFET from the input point of view, and a BJT from the output point of view. BJT and MOSFET have characteristics that complement each other from some points of view. BJTs have lower conduction losses in the on (connected) state, while their switching times are longer, especially when turned off. MOSFETs are able to switch on and off much faster, so their conduction losses are higher. IGBT is a transistor that has the advantages of BJT and MOSFET. such as high input impedance (such as MOSFET), low voltage drop and losses (such as BJT), low on-state voltage (such as BJT), and the names of IGBT bases are derived from the names of BJT and MOSFET bases; Gate from MOSFET, and collector and emitter from BJT. The most important and almost the only function of IGBT is switching high currents.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد