ترانزیستور IGBT
IXSN35N120AU1
IGBT Transistors 35 Amps 1200V 4 Rds
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-227B-4
قیمت تک فروشی 22,497,847 ریال
قیمت عمده 21,451,164 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 21,032,491 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده20,823,154 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 31.932 تتر با تخفیف
171.36163.2159.94158.3
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
155 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر توان مصرفي |
175 وات |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
150 نانو کولن |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
295 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
3900 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
60 پيکو فاراد |
|
IGBT RISE TIME |
150 نانو ثانيه |
|
IGBT FALL TIME |
500 نانو ثانيه |
|
|
|
توضیحات
IGBT يک دستگاه حامل اقليت با امپدانس ورودي بالا و قابليت حمل جريان بالا است. در مقايسه با ماسفتها، IGBTها به دليل ويژگيهاي خروجي دوقطبيشان براي مقياسپذيري در قابليت جابجايي جريان در سطوح ولتاژ بالاتر مناسبتر هستند. سازگار با بسته استاندارد بينالمللي miniBLOC (ISOTOP) جداسازي آلومينيوم-نيتريد - اتلاف توان بالا، ولتاژ جداسازي 3000 V~ VCE پايين (سات) - براي حداقل تلفات رسانش در حالت، ديود اپيتاکسيال بازيابي سريع - trr کوتاه و IRM . ظرفيت پايين جمع کننده به کيس (< 50 pF) - کاهش RFI . اندوکتانس بسته کم (< 10 nH) - آسان براي رانندگي و محافظت
Description
The IGBT is a minority-carrier device with high input impedance and high current-carrying capability. Compared to MOSFETs, IGBTs also are better suited to scale in current handling capability at higher voltage levels due to their bipolar output characteristics.International standard package
miniBLOC (ISOTOP) compatible
. Aluminium-nitride isolation
- high power dissipation
. Isolation voltage 3000 V~
. Low VCE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses .Fast RecoveryEpitaxial Diode
- short trr and IRM
.Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
- reducesd RFI
.Low package inductance (< 10 nH)
- easy to drive and to protect
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد