|
IGBT
RJH3047
330V 50A Silicon N Channel IGBT
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-3P
قیمت تک فروشی 663,867 ریال
قیمت عمده 638,477 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 628,321 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده623,243 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.912 تتر با تخفیف
4.123.923.843.8
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
توضیحات
ترانزيستور RJH3047 IGBT RJH3047A ترانزيستور دوقطبي گيت عايق (IGBT) يک دستگاه نيمه هادي قدرت سه ترمينالي است که عمدتاً به عنوان يک سوئيچ الکترونيکي استفاده مي شود و در دستگاه هاي جديدتر به دليل ترکيب بازده بالا و سوئيچينگ سريع مورد توجه قرار گرفته است.
IGBT ترکيبي از ترانزيستورهاي BJT و MOSFET است. IGBT از نقطه نظر ورودي يک MOSFET و از نقطه نظر خروجي BJT است. BJT و MOSFET داراي ويژگي هايي هستند که از برخي ديدگاه ها مکمل يکديگر هستند. BJT ها در حالت روشن (اتصال) تلفات رسانايي کمتري دارند، در حالي که زمان سوئيچينگ آنها طولاني تر است، به خصوص هنگامي که خاموش هستند. ماسفت‌ها مي‌توانند خيلي سريع‌تر روشن و خاموش شوند، بنابراين تلفات هدايت آنها بيشتر است. IGBT ترانزيستوري است که داراي مزاياي BJT و MOSFET است. مانند امپدانس ورودي بالا (مانند MOSFET)، افت و تلفات ولتاژ پايين (مانند BJT)، ولتاژ پايين در حالت (مانند BJT) و نام پايه هاي IGBT از نام پايه هاي BJT و MOSFET گرفته شده است. گيت از MOSFET و جمع کننده و اميتر از BJT. مهمترين و تقريباً تنها عملکرد IGBT سوئيچينگ جريان هاي بالا است.
Description
The insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal power semiconductor device primarily used as an electronic switch and in newer devices is noted for combining high efficiency and fast switching.
IGBT is a combination of BJT and MOSFET transistors. The IGBT is a MOSFET from the input point of view, and a BJT from the output point of view. BJT and MOSFET have characteristics that complement each other from some points of view. BJTs have lower conduction losses in the on (connected) state, while their switching times are longer, especially when turned off. MOSFETs are able to switch on and off much faster, so their conduction losses are higher. IGBT is a transistor that has the advantages of BJT and MOSFET. such as high input impedance (such as MOSFET), low voltage drop and losses (such as BJT), low on-state voltage (such as BJT), and the names of IGBT bases are derived from the names of BJT and MOSFET bases; Gate from MOSFET, and collector and emitter from BJT. The most important and almost the only function of IGBT is switching high currents.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد