IGBT کانال N
RJH60F4DPK
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-3P
قیمت تک فروشی 2,020,878 ریال
قیمت عمده 1,930,200 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,893,929 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,875,793 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 2.792 تتر با تخفیف
14.71413.7213.58
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر توان مصرفي |
235.8 وات |
|
|
|
|
IGBT RISE TIME |
150 نانو ثانيه |
|
IGBT FALL TIME |
80 نانو ثانيه |
|
|
|
حداکثر ولتاژ گيت اميتر |
30 ولت |
|
توضیحات
RJH60F4DPK يک ترانزيستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) است که توسط شرکت Renesas Electronics توليد ميشود. اين ترانزيستور براي کاربردهاي گرمايش القايي (Induction Heating) طراحي شده است و داراي ويژگيهاي زير ميباشد:
ولتاژ شکست کلکتور-اميتر (حداکثر): 600 ولت جريان کلکتور (حداکثر): 60 آمپر توان (حداکثر): 235.8 وات نوع بستهبندي: TO-3P زمان بازيابي معکوس: 140 نانوثانيه دماي کاري: تا 150 درجه سانتيگراد اين ترانزيستور داراي سرعت سوئيچينگ بالا و ولتاژ اشباع پايين است که آن را براي کاربردهاي با فرکانس 10 تا 100 کيلوهرتز مناسب ميسازد
Description
0RJH60F4DPK is an IGBT transistor (Insulated Gate Bipolar Transistor) produced by Renesas Electronics. This transistor is designed for induction heating applications and has the following features:
Collector-emitter breakdown voltage (maximum): 600 volts Collector current (maximum): 60 amps Power (maximum): 235.8 watts Package type: TO-3P Reverse recovery time: 140 ns Working temperature: up to 150 degrees Celsius This transistor has a high switching speed and a low saturation voltage, making it suitable for applications with a frequency of 10 to 100 kHz.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد