|
IGBT
RJP30H1DPD
360V 30A Silicon N Channel IGBT High speed power switching
کیفیت: Refurbished پکیج: TO-252
قیمت تک فروشی 377,520 ریال
قیمت عمده 359,970 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 352,950 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده349,440 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.442 تتر با تخفیف
2.121.961.94
|
|
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
| حداکثر دماي کاري |
+150 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
توضیحات
ترانزيستور دوقطبي دروازه ايزوله که به اختصار IGBT نيز ناميده مي شود، چيزي شبيه به تلاقي بين ترانزيستور اتصال دوقطبي معمولي (BJT) و ترانزيستور اثر ميداني (MOSFET) است که آن را به عنوان يک وسيله سوئيچينگ نيمه هادي ايده آل مي کند. ترانزيستور IGBT بهترين قطعات اين دو نوع ترانزيستور رايج، امپدانس ورودي بالا و سرعت سوئيچينگ بالاي ماسفت با ولتاژ اشباع پايين ترانزيستور دوقطبي را مي گيرد و آنها را با هم ترکيب مي کند تا نوع ديگري از دستگاه سوئيچينگ ترانزيستور را توليد کند. قادر به مديريت جريان هاي کلکتور-اميتر بزرگ با درايو جريان گيت تقريبا صفر است.
Description
The Insulated Gate Bipolar Transistor also called an IGBT for short, is something of a cross between a conventional Bipolar Junction Transistor, (BJT) and a Field Effect Transistor, (MOSFET) making it ideal as a semiconductor switching device. The IGBT Transistor takes the best parts of these two types of common transistors, the high input impedance and high switching speeds of a MOSFET with the low saturation voltage of a bipolar transistor, and combines them together to produce another type of transistor switching device that is capable of handling large collector-emitter currents with virtually zero gate current drive.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد