ماسفت کانال N
IRFL110
100V 1.5A 0.54Ohms HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-223
قیمت تک فروشی 428,200 ریال
قیمت عمده 410,000 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 402,720 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده399,080 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.501 تتر با تخفیف
2.121.961.94
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
|
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
3.3 وات |
|
|
|
زمان خيز Tr |
20 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
24 نانو ثانيه |
|
|
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.100 اهم |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
27 نانو کولن |
|
توضیحات
HEXFETهاي نسل سوم از شرکت International Rectifier بهترين ترکيب از سرعت سوئيچينگ بالا، طراحي مقاوم، مقاومت پايين و کارايي هزينه را براي طراحان فراهم ميکنند. بسته SOT-223 براي نصب سطحي طراحي شده و با تکنيکهاي لحيمکاري بخار فازي، مادون قرمز يا لحيمکاري موجي سازگار است. طراحي منحصر به فرد اين بسته امکان جايگذاري خودکار مشابه ساير بستههاي SOT يا SOIC را فراهم کرده، با اين تفاوت که عملکرد حرارتي بهبود يافتهاي دارد زيرا تب حرارتي بزرگتري براي بهبود خنککنندگي دارد. در کاربردهاي معمول نصب سطحي، اتلاف توان بيش از 1.25 وات ممکن است.
Description
The third-generation HEXFETs from International Rectifier offer an optimal combination of fast switching, robust device design, low on-resistance, and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mount applications, compatible with vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. This package’s unique design allows for easy automatic pick-and-place, similar to other SOT or SOIC packages. It features enhanced thermal performance due to a larger tab for heatsinking. Typical surface-mount applications can achieve power dissipation greater than 1.25W.
Would you like me to provide any additional details or the datasheet for these HEXFETs?
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد