ماسفت کانال N
IRF1407PBF
75V 130A N-Channel Power MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220AB
قیمت تک فروشی 605,127 ریال
قیمت عمده 542,891 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 532,933 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده527,954 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.859 تتر با تخفیف
4.463.963.883.84
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
330 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
150 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
140 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
5600 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
890 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
190 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.0078 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
250 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
توضیحات
ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.
برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
کاربرد ماسفت به عنوان سوييچ
براي استفاده از ماسفت به عنوان يک سوييچ کافي است ولتاژ gate نسبت به Source بيشتر باشد. به اين اختلاف ولتاژ VGS يعني اختلاف ولتاژ بين Gate و Source گويند. بديهي است که هرگاه پين Gate را به پين Source متصل کنيم در اين صورت VGS = 0 مي گردد پس در نتيجه هيچ جرياني از Drain خارج نمي شود و سوييچ باز خواهد بود.
Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized device
design that HEXFET power MOSFETs are well known for,
provides the designer with an extremely efficient and reliable
device for use in a wide variety of applications.
The D2Pak is a surface mount power package capable of
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest
power capability and the lowest possible on-resistance in any
existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high
current applications because of its low internal connection
resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface
mount application.
The through-hole version (IRF1407L) is available for low-profile applications.
Benefits
* Advanced Process Technology
*Ultra Low On-Resistance
*Dynamic dv/dt Rating
*175°C Operating Temperature
*Fast Switching
*Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد