ماسفت کانال N
STP10NK80Z (P10NK80Z)
800V 9A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 1,582,580 ریال
قیمت عمده 1,511,600 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,483,208 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,469,012 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.851 تتر با تخفیف
8.197.87.647.57
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
2180 پيکو فاراد |
|
|
حداکثر توان مصرفي |
160 وات |
|
|
|
زمان خيز Tr |
20 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
17 نانو ثانيه |
|
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
205 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.9 اهم |
|
توضیحات
اين قطعات، ماسفتهاي قدرت N-channel با حفاظت زنري هستند که با استفاده از فناوري SuperMESH شرکت STMicroelectronics توسعه يافتهاند. اين فناوري از بهينهسازي ساختار مشهور PowerMESH مبتني بر نوار (strip-based) حاصل شده است. اين ماسفتها علاوه بر کاهش قابل توجه مقاومت در حالت روشن (Rds(on))، براي ارائه قابليت بسيار بالاي dv/dt جهت استفاده در کاربردهاي حساس طراحي شدهاند. ويژگيها شامل قابليت بسيار بالاي dv/dt، تست 100 درصد آوالانچ، حداقل بار گيت (Gate Charge)، ظرفيت ذاتي بسيار پايين، و تکرارپذيري عالي در فرايند توليد است. اين ماسفتها عمدتاً در کاربردهاي سوييچينگ با عملکرد بالا مورد استفاده قرار ميگيرند.
Description
These devices are N-channel, Zener-protected Power MOSFETs developed using STMicroelectronics SuperMESH technology, derived from the optimization of the well-established strip-based PowerMESH layout. In addition to significantly reduced on-resistance, the device is designed to provide high dv/dt capability for demanding applications. Key features include extremely high dv/dt capability, 100% avalanche testing, minimized gate charge, very low intrinsic capacitances, and excellent manufacturing repeatability. These MOSFETs are mainly used in high-performance switching applications.
|
| موضوع | نوع فایل | |
| STP10NK80Z (P10NK80Z) ديتاشيت | PDF |
دانلود فایل
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد