| راه انداز ماسفت  R2J20601 Driver – MOS FET Integrated SiP (DrMOS)  کیفیت: ORIGINAL(distributor)       پکیج: QFN-56 (8x8x0.8 mm)  قیمت تک فروشی  1,928,040  ریال   
  قیمت عمده   1,836,572  ریال (10 به بالا)  
  قیمت ویژه  1,799,984  ریال (100 به بالا)  
 قیمت فوق العاده1,781,690  ریال (1000 به بالا)  
    قیمت تک فروشی 2.068  تتر با تخفیف  9.178.738.568.47 | 
        
                       
     
                          
                        
                 
                   
                  
            
            
              
                  
	
		|  | 
		| 
                              
                                  
                                       | حداقل دماي کاري | -40     سانتيگراد |  | 
		| 
                              
                                  
                                       | حداکثر دماي کاري | 150     سانتيگراد |  | 
		| 
                              
                                  
                                       | نوع محصول | Driver – MOSFET |  | 
		|  | 
		|  | 
		|  | 
                  
				
                  
                     
                  
	
		| توضیحات
			              	    ماژول چند تراشهاي R2J20601NP يک MOS FET سمت بالا، MOS FET سمت پايين و درايور MOS-FET را در يک بسته QFN ترکيب ميکند. زمان روشن و خاموش شدن پاور MOS FET توسط درايور داخلي بهينه شده است و اين دستگاه را براي مبدل هاي باک جريان زياد مناسب مي کند.اين تراشه همچنين داراي يک ديود مانع شاتکي با بوت استرپ بالا (SBD) است که نياز به SBD خارجي براي اين منظور را از بين ميبرد. دستگاه جديد با ادغام يک درايور و هر دو MOS FET هاي قدرت بالا و پايين، با استاندارد بسته "SiP يکپارچه درايور - MOS FET (DrMOS)" پيشنهاد شده توسط شرکت اينتل نيز مطابقت دارد.
 
 
 Description
                                     The R2J20601NP multi-chip module incorporates a high-side MOS FET, low-side MOS FET, and MOS-FET driver in a single QFN package. The on and off timing of the power MOS FET is optimized by the built-in driver, making this device suitable for large-current buck converters. The chip also incorporates a high-side bootstrap Schottky barrier diode (SBD), eliminating the need for an external SBD for this purpose. Integrating a driver and both high-side and low-side power MOS FETs, the new device is also compliant with the package standard “Driver – MOS FET integrated SiP (DrMOS)” proposed by Intel Corporation.
 | 
                  
                  
				
               
		
            
		 
           
                  
                   
         
 
 
	
        کلیه حقوق این سایت متعلق به  فروشگاه Skytech  می باشد