ماسفت کانال N
SPB80P06PGATMA1
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: PG-TO263-3-2
قیمت تک فروشی 3,425,700 ریال
قیمت عمده 3,264,500 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 3,200,020 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده3,167,780 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 3.675 تتر با تخفیف
16.81615.6815.52
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
55- سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
175+ سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
340 وات |
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
|
شرکت توليد کننده |
Infineon Technologies |
|
توضیحات
SPB80P06PGATMA1 از شرکت Infineon Technologies يک MOSFET نوع P است که براي کاربردهاي توان بالا با عملکرد حرارتي و سوئيچينگ کارآمد طراحي شده است. اين قطعه داراي ولتاژ درين-سورس حداکثر 60 V بوده و ميتواند جريان مداوم درين تا 80 A در دماي 25 °C را تحمل کند. مقاومت روشن پايين آن 23 m? در Vgs = 10 V است که باعث کاهش تلفات هدايت ميشود و بار گيت کل آن 173 nC بوده و براي سوئيچينگ با سرعت بالا مناسب است. اين MOSFET در بستهبندي TO-263 (D2PAK) نصب سطحي عرضه ميشود و با فرآيندهاي مونتاژ استاندارد سازگار است. اين قطعه مطابق استاندارد AEC-Q101 است و براي کاربردهاي خودرويي و ساير سيستمهاي با اطمينان بالا مناسب ميباشد.
Description
The SPB80P06PGATMA1 from Infineon Technologies is a P-channel MOSFET designed for high-power applications with efficient switching and thermal performance. It has a maximum drain-source voltage of 60 V and can handle continuous drain currents up to 80 A at 25 °C. The device features a low on-state resistance of 23 m? at Vgs = 10 V, minimizing conduction losses, and a total gate charge of 173 nC suitable for high-speed switching. It comes in a TO-263 (D2PAK) surface-mount package compatible with standard assembly processes. This MOSFET is AEC-Q101 qualified, making it suitable for automotive and other high-reliability applications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد