ماسفت کانال N
IRFB20N50K
500V 20A HEXFET N-CHANNEL Power MOSFET
کیفیت: Refurbished پکیج: TO-220-AB
قیمت تک فروشی 1,720,775 ریال
قیمت عمده 1,641,800 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,610,210 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,594,415 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 2.022 تتر با تخفیف
9.4598.828.73
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
+150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
74 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
33 نانو ثانيه |
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
2870 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
320 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
34 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.21 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
110 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
International Rectifier |
|
توضیحات
ترانزيستور IRFB20N50K يک MOSFET قدرت نوع N است که با ولتاژ شکست 500 ولت و جريان مداوم 20 آمپر طراحي شده است. اين ترانزيستور از تکنولوژي HEXFET بهره ميبرد و براي کاربردهاي سوئيچينگ با سرعت بالا و بازده بالا در منابع تغذيه سوئيچينگ، UPS و ساير مدارهاي توان بالا مناسب است. مقاومت در حالت روشن (RDS(on)) پايين و ظرفيت گيت پايين، کنترل سادهتر و اتلاف توان کمتر را فراهم ميکند. اين قطعه از نظر ويژگيهاي ديناميکي و تحمل ولتاژ در برابر شرايط سخت بسيار مقاوم است. همچنين قابليت عملکرد در فرکانسهاي بالا را دارد و در طراحي مدارهاي پرتوان بسيار کاربردي است.
**کاربردها: - منابع تغذيه سوئيچينگ (SMPS) - منابع تغذيه بدون وقفه (UPS) - سوئيچينگ توان با سرعت بالا - مدارهاي سختسوييچ و فرکانس بالا
**مزايا: - بار گيت پايين (Qg) که نياز به درايو سادهتري دارد - مقاومت بيشتر در برابر ولتاژ شکست، ديود آوالانچ، و تغييرات سريع ولتاژ (dv/dt) - ظرفيت و پارامترهاي آوالانچ کاملاً مشخص شده - مقاومت روشن بودن پايين (RDS(on))
Description
The IRFB20N50K is an N-channel power MOSFET with a breakdown voltage of 500V and a continuous drain current of 20A. Utilizing advanced HEXFET technology, it is ideal for high-efficiency switching applications such as SMPS and UPS systems. It features low RDS(on) and gate charge for efficient switching and reduced power loss. The device offers robust dynamic characteristics and excellent tolerance to high voltage and switching stress. It is highly suitable for use in high-frequency, high-power circuits.
**Applications: - Switch Mode Power Supply (SMPS) - Uninterruptible Power Supply (UPS) - High-Speed Power Switching - Hard-switched and High-Frequency Circuits
**Benefits: - Low gate charge (Qg) results in simple drive requirements - Improved ruggedness in gate, avalanche, and dynamic dv/dt - Fully characterized capacitance and avalanche voltage/current - Low RDS(on)
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد