توضیحات
S29AL016M يک حافظه فلش 16 مگابيت و 3.0 ولتي است که به صورت 2,097,152 بايت يا 1,048,576 کلمه سازماندهي شده است. اين دستگاه در بسته هاي 48 توپي Fine-pitch BGA، 64-ball Fortified BGA و 48-pin TSOP ارائه مي شود. داده هاي کل کلمه (x16) در DQ15–DQ0 ظاهر مي شود. داده هاي پهن بايت (x8) در DQ7–DQ0 ظاهر مي شوند.
اين دستگاه تنها به يک منبع تغذيه 3.0 ولتي براي هر دو عملکرد خواندن و نوشتن نياز دارد، که براي برنامه ريزي در سيستم با منبع تغذيه استاندارد 3.0 ولت VCC طراحي شده است. دستگاه را مي توان در برنامه نويس هاي استاندارد EPROM نيز برنامه ريزي کرد.
اين دستگاه زمان دسترسي 90 و 100 ns را ارائه مي دهد. براي از بين بردن مشاجره اتوبوس، دستگاه داراي کنترل هاي تراشه هاي جداگانه (CE#)، فعال کردن (WE#) و فعال کردن خروجي (OE#) است. اين دستگاه کاملاً مجموعه دستوراتي است که با استاندارد فلش تک منبع تغذيه JEDEC سازگار است. دستورات با استفاده از زمان‌بندي استاندارد نوشتن ريزپردازنده روي دستگاه نوشته مي‌شوند.
چرخه‌هاي نوشتن همچنين آدرس‌ها و داده‌هاي مورد نياز براي برنامه‌نويسي و پاک کردن عمليات را به صورت داخلي قفل مي‌کنند. معماري پاک کردن بخش به بخش‌هاي حافظه اجازه مي‌دهد بدون تأثير بر محتواي داده‌هاي ساير بخش‌ها، پاک و برنامه‌ريزي مجدد شوند. دستگاه هنگام ارسال از کارخانه به طور کامل پاک مي شود
Description
The S29AL016M is a 16 Mbit, 3.0 Volt-only Flash memory organized as 2,097,152 bytes or 1,048,576 words. The device is offered in a 48-ball Fine-pitch BGA, 64- ball Fortified BGA, and 48-pin TSOP packages. The word-wide data (x16) appears on DQ15–DQ0; the byte-wide (x8) data appears on DQ7–DQ0.
The device requires only a single 3.0 volt power supply for both read and write functions, designed to be programmed in-system with the standard system 3.0 volt VCC supply. The device can also be programmed in standard EPROM programmers.
The device offers access times of 90 and 100 ns. To eliminate bus contention the device has separate chip enable (CE#), write enable (WE#) and output enable (OE#) controls. The device is entirely command set compatible with the JEDEC single-powersupply Flash standard. Commands are written to the device using standard microprocessor write timing.
Write cycles also internally latch addresses and data needed for the programming and erase operations. The sector erase architecture allows memory sectors to be erased and reprogrammed without affecting the data contents of other sectors. The device is fully erased when shipped from the factory
|