ماسفت کانال N
OSG90R1K2FF
Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220F
قیمت تک فروشی 907,907 ریال
قیمت عمده 867,045 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 850,700 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده842,528 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 1.289 تتر با تخفیف
6.836.56.376.3
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
314 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
26.5 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
17.6 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
874 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
37.5 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
1.7 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
1.2 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
12.5 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
ORIENTAL SEMICONDUCTOR |
|
توضیحات
ماسفت ولتاژ بالا GreenMOS® از فناوري تعادل شارژ براي دستيابي به مقاومت کم روشن و شارژ گيت کمتر استفاده مي کند. براي به حداقل رساندن تلفات هدايت، ارائه عملکرد سوئيچينگ عالي و قابليت بهمن قوي طراحي شده است. سري GreenMOS® Generic براي عملکرد سوئيچينگ فوق العاده بهينه شده است تا تلفات سوئيچينگ را به حداقل برساند. اين براي کاربردهاي با چگالي توان بالا طراحي شده است تا بالاترين استانداردهاي راندمان را برآورده کند.
Description
The GreenMOS® high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS® Generic series is optimized for extreme switching performance to minimize switching loss. It is tailored for high power density applications to meet the highest efficiency standards.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد