ماسفت کانال N
IRLS3034PBF
40V 380W N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: D2PAK
قیمت تک فروشی 1,387,068 ریال
قیمت عمده 1,322,946 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,297,297 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,284,473 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 1.908 تتر با تخفیف
10.399.99.79.6
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
375 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
355 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
200 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
10315 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
1980 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
935 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.0014 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
162 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
International Rectifier |
|
توضیحات
يکي از رايج ترين انواع ترانزيستورهاي FET گيت عايق که در بسياري از مدارهاي الکترونيکي استفاده مي شود، ترانزيستور اثر ميدان نيمه هادي اکسيد فلز يا به اختصار ماسفت نام دارد. ماسفت يا GFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل شده با ولتاژ است. تفاوت اين ترانزيستور با JFET در آن است که داراي يک الکترود دروازه اي "اکسيد فلز" است که از کانال n يا کانال p نيمه هادي اصلي توسط يک لايه بسيار نازک از مواد عايق عايق شده است.
Description
One of the most common types of insulated gate FET transistor used in many electronic circuits is called Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor or MOSFET for short. MOSFET or GFET is a voltage controlled field effect transistor. This transistor differs from the JFET in that it has a "metal oxide" gate electrode that is insulated from the n-channel or p-channel of the original semiconductor by a very thin layer of insulating material.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد