|
سوئیچ RF
BGS12SN6 (T)
Wideband RF SPDT Switch
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TSNP-6-2/-8
قیمت تک فروشی 220,700 ریال
قیمت عمده 184,300 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 180,660 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده178,840 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.258 تتر با تخفیف
1.210.980.97
|
|
|
| نوع عملکرد |
Reflective SPDT switch Function Type |
|
توضیحات
سوئيچ RF مدل BGS12SN6 براي کاربردهاي WLAN و بلوتوث طراحي شده است.
هر يک از دو پورت آن مي‌تواند به‌عنوان ترمينيشن آنتن diversity مورد استفاده قرار گيرد و تا 30 دسي‌بل ميلي‌وات توان ورودي را پشتيباني مي‌کند.
اين قطعه با تغذيه تک‌منبعي کار مي‌کند و داراي منطق CMOS داخلي است که از طريق يک ورودي ساده و تک‌پين، قابل کنترل با سطوح منطقي CMOS يا TTL مي‌باشد.
نقطه فشردگي 0.1 دسي‌بل بالاتر از حداکثر توان ورودي سوئيچ است که تضمين‌کننده عملکرد خطي در تمام سطوح سيگنال مي‌باشد.
اين سوئيچ افت درج بسيار پاييني دارد: 0.25 دسي‌بل در 1 گيگاهرتز و 0.29 دسي‌بل در 2.5 گيگاهرتز.
برخلاف طراحي‌هاي مبتني بر GaAs، تنها در صورتي نياز به خازن بلوکه‌کننده DC در پورت‌هاي RF است که ولتاژ DC از بيرون اعمال شده باشد.
BGS12SN6 با استفاده از فناوري ثبت‌شده MOS شرکت Infineon ساخته شده است که عملکرد RF مشابه GaAs را با مزاياي اقتصادي و يکپارچه‌سازي CMOS ترکيب مي‌کند.
اين قطعه همچنين مقاومت ذاتي بالاتري در برابر تخليه الکترواستاتيکي (ESD) دارد.
بسته‌بندي آن بسيار کوچک است و فقط 0.7 در 1.1 ميلي‌متر با حداکثر ارتفاع 0.375 ميلي‌متر اندازه دارد.
Description
The BGS12SN6 RF MOS switch is designed for WLAN and Bluetooth applications.
Either of the two ports can be used as a termination for the diversity antenna, supporting input power up to 30 dBm.
It operates from a single supply and integrates on-chip CMOS logic, which is controlled by a simple, single-pin input compatible with CMOS or TTL logic levels.
The 0.1 dB compression point exceeds the switch is maximum input power level, ensuring linear performance across all signal levels.
The switch provides very low insertion loss: 0.25 dB at 1 GHz and 0.29 dB at 2.5 GHz.
Unlike GaAs-based designs, external DC blocking capacitors are only needed at RF ports if external DC voltage is applied.
The BGS12SN6 is manufactured using Infineon is patented MOS technology, combining GaAs-like RF performance with the cost-efficiency and integration benefits of CMOS.
It also offers higher inherent ESD robustness.
The package is very compact, measuring only 0.7 x 1.1 mm² with a maximum height of 0.375 mm.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد