ماسفت کانال N
OSG65R099FZ
700V 114A Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220F
قیمت تک فروشی 1,090,571 ریال
قیمت عمده 1,040,782 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,020,866 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,010,908 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 1.548 تتر با تخفیف
8.327.927.767.68
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
60.3 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
3.7 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
3988.2 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
210.4 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
7.4 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.099 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
66.6 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
ORIENTAL SEMICONDUCTOR |
|
توضیحات
ماسفت ولتاژ بالا GreenMOS® از فناوري تعادل شارژ براي دستيابي به مقاومت کم روشن و شارژ گيت کمتر استفاده مي کند. براي به حداقل رساندن تلفات هدايت، ارائه عملکرد سوئيچينگ عالي و قابليت بهمن قوي طراحي شده است. سري GreenMOS® Z با ديود بازيابي سريع (FRD) يکپارچه شده است تا زمان بازيابي معکوس را به حداقل برساند. براي توپولوژي هاي سوئيچينگ رزونانسي مناسب است تا به راندمان بالاتر، قابليت اطمينان بالاتر و ضريب شکل کوچکتر برسند.
Description
The GreenMOS® high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS® Z series is integrated with fast recovery diode (FRD) to minimize reverse recovery time. It is suitable for resonant switching topologies to reach higher efficiency, higher reliability and smaller form factor.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد