ماسفت کانال N

IRFZ24NPBF

55V 17A HEXFET POWER MOSFET

کیفیت: ORIGINAL(distributor)       پکیج: TO-220AB

قیمت تک فروشی  193,980  ریال

قیمت عمده  141,820  ریال (10 به بالا)

قیمت ویژه  139,734  ریال (100 به بالا)

قیمت فوق العاده138,690  ریال (1000 به بالا)

SKYTECH قیمت تک فروشی 0.305  تتر با تخفیف

1.510.980.97
    

تعداد موجودی در انبار : 1376 عدد



در صورت موجود شدن خبر بده
افزودن به علاقه مندی ها

تعداد درخواست:  

   





روش اتصال DIP    
پکيج TO-220AB    
نوع محصول POWER MOSFET    
حداکثر دماي کاري 175     سانتيگراد
حداقل دماي کاري -55     سانتيگراد
ولتاژ VDS 55     ولت
Id 17     آمپر
حداکثر توان مصرفي 45     وات
حداکثر (Vgs(th 4     ولت
(td(ON 19     نانو ثانيه
(td(OFF 4.9     نانو ثانيه
زمان خيز Tr 34     نانو ثانيه
زمان افت Tf 27     نانو ثانيه
حداقل (Vgs(th 2     ولت
حداکثر ولتاژ گيت-سورس 20     ولت
ظرفيت خازني ورودي Ciss 370     پيکو فاراد
ظرفيت خازني خروجي Coss 140     پيکو فاراد
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss 65     پيکو فاراد
مقاومت روشن درين سورس (Rds) 0.07     اهم
نوع کانال MOSFET N    
مجموع شارژ کامل Qg 20     نانو کولن
شرکت توليد کننده International Rectifier    



توضیحات

ماسفت IRFZ24NS يک ماسفت فرکانس بالا با دماي عملياتي تا 175 درجه، 55 ولت و 17 امپر ميباشد. نوع ديگري از ترانزيستورهاي اثر ميدان وجود دارد که ورودي گيت آن‌ها، از نظر الکتريکي نسبت به کانال حامل جريان عايق‌ شده است و به همين دليل، ترانزيستور اثر ميدان با گيت ايزوله‌ شده (Insulated Gate Field Effect Transistor) يا IGDET ناميده مي‌شود. تداول‌ترين FET با گيت ايزوله‌ شده که در کاربردهاي مختلفي به کار مي‌رود، ترانزيستور اثر ميداني نيمه‌رساناي اکسيد فلز يا ماسفت (MOSFET) است. IGFET يا MOSFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل‌ شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و اين تفاوت، يک الکترود گيت «اکسيد فلز» است که از نظر الکتريکي نسبت به نيمه‌هادي اصلي کانال N يا کانال P با يک لايه بسيار نازک از ماده عايق‌ کننده (معمولاً اکسيد سيليکون) جدا شده است.



Description

MOSFET IRFZ24NS is a high frequency MOSFET with operating temperature up to 175 degrees, 55 volts and 17 amps. There is another type of field effect transistor whose gate input is electrically insulated from the current carrying channel, and for this reason, it is called Insulated Gate Field Effect Transistor or IGDET. The most common isolated gate FET used in various applications is the metal oxide semiconductor field effect transistor or MOSFET. IGFET or MOSFET is a voltage-controlled field-effect transistor that differs from JFET in that it has a "metal oxide" gate electrode that is electrically insulated from the main N-channel or P-channel semiconductor with a very thin layer of insulating material. The catalyst (usually silicon oxide) is separated.






گروه بازرگانی اسکایتک

وارد كننده قطعات الکترونیک و نیمه هادی با بیش از پنج سال تجربه افتخار دارد با عرضه محصولات اصلی ، با كیفیت و استاندارد جهت ارج نهادن به سلیقه توزیع كنندگان متعهد در راستای حفاظت از منافع و مصالح مصرف كنندگان نهایی گام بردارد.
فروشگاه اسکای تک با حمایت كم نظیر مشتریان خوش نام و فعال به عنوان گروهی پیشرو در ایران ، موفق به اخذ نمایندگی انحصاری و توزیع بسیاری از كمپانی های معتبر جهان در یك مجموعه گردیده است . استقبال چشمگیر مشتریان صادق و مصرف كنندگان فهیم از خرید قطعات الکترونیک با كیفیت در مقابل قطعات نامرغوب و غیر استاندارد وارداتی، موجب گردآوری طیف وسیعی (بالغ بر 40000 قلم كالا)‌ از قطعات الکترونیک گوناگون دراین فروشگاه شده است.

قوانین
ارتباط با فروشگاه ارتباط با واحد فروش ارتباط با واحد پشتیبانی فنی انتقادات و پیشنهادات قوانین و شرایط سایت
دسترسی های سایت
نقشه سایت درباره ما سوالات متداول شماره حساب ها

کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد