|
IGBT کانال N
RJP63K2
630V 35A N-Channel IGBT
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-263
قیمت تک فروشی 1,178,167 ریال
قیمت عمده 1,063,600 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,042,978 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,032,667 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.839 تتر با تخفیف
9.78.738.568.47
|
|
|
|
|
|
|
| نوع عملکرد |
Power Switching Function Type |
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
| IGBT RISE TIME |
60 نانو ثانيه |
|
| IGBT FALL TIME |
200 نانو ثانيه |
|
توضیحات
سيليکون N کانال IGBT سوئيچينگ برق با سرعت بالا دروازه ترنچ و فناوري ويفر نازک (سري G6H-II) ولتاژ اشباع کلکتور پايين به اميتر: VCE(sat) = 1.9 ولت نوع · سوئيچينگ سرعت بالا: tr = 60 ns نوع، tf = 200 ns typ. جريان نشتي کم: ICES = 1 mA حداکثر · بسته ايزوله TO-220FL
Description
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) · Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.9 V typ · High speed switching: tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ. · Low leak current: ICES = 1 mA max · Isolated package TO-220FL
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد