ماسفت کانال N
RU6099R
60V 120A N-Channel MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 381,791 ریال
قیمت عمده 365,515 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 359,005 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده355,750 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.652 تتر با تخفیف
3.122.972.912.88
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
150 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
17 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
62 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
25 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
3000 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
430 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
240 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
6 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
72 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي نوعي ترانزيستور اثر ميداني است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند.
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد