ماسفت کانال N
SI3456BDV (6B)
30V 6A N-Channel MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TSOP-6
قیمت تک فروشی 191,480 ریال
قیمت عمده 124,088 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 122,066 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده121,055 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.223 تتر با تخفیف
0.960.580.560.56
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.054 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
13 نانو کولن |
|
توضیحات
اين مدل SPICE مربوط به يک MOSFET کانال-N با ساختار عمودي DMOS و ولتاژ کاري 30 ولت است که براي تحليلهاي مداري در کاربردهاي سوئيچينگ و خطي طراحي شده است. مدل بهصورت سابسيرکويت (Subcircuit) و سطح 3 بوده و رفتار الکتريکي قطعه را در بازه دمايي 55- تا 125 درجه سانتيگراد به خوبي شبيهسازي ميکند. پارامترهاي مدل براي شرايط تحريک پالسي گيت از 0 تا 10 ولت استخراج و بهينهسازي شدهاند و مقاومت خروجي اشباع در نزديکي ولتاژ آستانه گيت بهترين تطابق را دارد. از شبکه خازني جديد بين گيت و درين براي مدلسازي شارژ گيت استفاده شده است که همگرايي شبيهسازي را در مقايسه با مدلهاي Cgd کليدشونده بهبود ميبخشد. همچنين ويژگيهايي نظير شارژ گيت، گذراهاي سوئيچينگ و بازيابي معکوس ديود در اين مدل در نظر گرفته شدهاند و مقادير پارامترها براي انطباق با دادههاي اندازهگيريشده انتخاب شدهاند، نه بهعنوان بازتابي فيزيکي دقيق از ساختار داخلي قطعه.
Description
This SPICE model represents a 30-V N-channel vertical DMOS transistor optimized for both switching and linear applications. It is implemented as a subcircuit using a level 3 MOSFET model and accurately fits electrical behavior across a temperature range of ?55°C to 125°C under pulsed gate drive from 0V to 10V. The model includes a novel gate-to-drain feedback capacitance network to simulate gate charge without convergence issues seen in switched Cgd models. Key characteristics such as gate charge behavior, switching transients, and diode reverse recovery are well represented. Parameters are tuned for best fit to measured data, rather than a strict physical mapping of the device.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد