|
ماسفت کانال N
IPW6R190E6
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 2,571,139 ریال
قیمت عمده 2,457,275 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 2,411,730 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده2,388,957 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 3.015 تتر با تخفیف
13.3812.7412.4912.36
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| زمان خيز Tr |
10 نانو ثانيه |
|
|
|
|
|
| حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
190 اهم |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي (MOSFET، MOS-FET يا MOS FET) نوعي ترانزيستور اثر ميداني (FET) است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند. اين توانايي براي تغيير رسانايي با مقدار ولتاژ اعمال شده مي تواند براي تقويت يا سوئيچينگ سيگنال هاي الکترونيکي استفاده شود. ترانزيستور اثر ميداني فلز-عايق-نيمه هادي (MISFET) اصطلاحي است که تقريباً مترادف با ماسفت است. مترادف ديگر IGFET براي ترانزيستور اثر ميداني گيت عايق است
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device. This ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals. A metal-insulator- semiconductor field-effect transistor (MISFET) is a term almost synonymous with MOSFET. Another synonym is IGFET for insulated-gate field-effect transistor.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد