ماسفت کانال N
BSP129
MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-223
قیمت تک فروشی 316,199 ریال
قیمت عمده 293,339 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 287,624 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده284,767 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.543 تتر با تخفیف
2.72.52.452.42
|
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
1.8 وات |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
6 اهم |
|
|
توضیحات
SIPMOS، يک فناوري گيت پلي سيليکوني برگرفته از روش استاندارد ساخت مدار LSI شرح داده شده است. تکنيک هاي انتقال الگوي مورد استفاده در ادغام در مقياس بزرگ کافي است.
متداولترين FET با گيت ايزوله شده که در کاربردهاي مختلفي به کار ميرود، ترانزيستور اثر ميداني نيمهرساناي اکسيد فلز يا ماسفت (MOSFET) است. IGFET يا MOSFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و اين تفاوت، يک الکترود گيت «اکسيد فلز» است که از نظر الکتريکي نسبت به نيمههادي اصلي کانال N يا کانال P با يک لايه بسيار نازک از ماده عايق کننده (معمولاً اکسيد سيليکون) جدا شده است
Description
SIPMOS, a polysilicon gate technology derived from the standard LSI circuit manufacturing method is described. Pattern-changing techniques used in large-scale integration are sufficient.
The most common isolated-gate FET used in current applications is the metal-semiconductor field-effect transistor, or MOSFET. An IGFET or MOSFET is a voltage-controlled field-effect transistor that differs from a JFET in that it has a "metal oxide" gate electrode that is electrically isolated from the main N-channel or P-channel semiconductor with a very thin layer of material. It is insulated. The separator (usually silicone) is removed
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد