ماسفت کانال N

BSP129

240V 0.05A N-CHANNEL SIPMOS® Small-Signal-Transistor

کیفیت: ORIGINAL(distributor)       پکیج: PG-SOT-223

قیمت تک فروشی  461,018  ریال

قیمت عمده  439,581  ریال (10 به بالا)

قیمت ویژه  431,007  ریال (100 به بالا)

قیمت فوق العاده426,719  ریال (1000 به بالا)

SKYTECH قیمت تک فروشی 0.433  تتر با تخفیف

2.292.182.132.11

    



تعداد موجودی در انبار : 100 عدد



در صورت موجود شدن خبر بده
افزودن به علاقه مندی ها


تعداد درخواست:  

   






روش اتصال SMD    
پکيج PG-SOT-223    
نوع محصول MOSFET    
حداکثر توان مصرفي 1.8     وات
حداکثر دماي کاري 150     سانتيگراد
حداقل دماي کاري -55     سانتيگراد
ولتاژ VDS 240     ولت
Id 0.05     آمپر
حداکثر (Vgs(th 2.1     ولت
(td(ON 6.6     نانو ثانيه
(td(OFF 33     نانو ثانيه
زمان خيز Tr 6.2     نانو ثانيه
زمان افت Tf 5.     نانو ثانيه
حداقل (Vgs(th 1     ولت
حداکثر ولتاژ گيت-سورس 20     ولت
ظرفيت خازني ورودي Ciss 108     پيکو فاراد
ظرفيت خازني خروجي Coss 16     پيکو فاراد
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss 10     پيکو فاراد
مقاومت روشن درين سورس (Rds) 20     اهم
نوع کانال MOSFET N    
مجموع شارژ کامل Qg 5.7     نانو کولن
شرکت توليد کننده INFINEON    



توضیحات

SIPMOS، يک فناوري گيت پلي سيليکوني برگرفته از روش استاندارد ساخت مدار LSI شرح داده شده است. تکنيک هاي انتقال الگوي مورد استفاده در ادغام در مقياس بزرگ کافي است. متداول‌ترين FET با گيت ايزوله‌ شده که در کاربردهاي مختلفي به کار مي‌رود، ترانزيستور اثر ميداني نيمه‌رساناي اکسيد فلز يا ماسفت (MOSFET) است. IGFET يا MOSFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل‌ شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و اين تفاوت، يک الکترود گيت «اکسيد فلز» است که از نظر الکتريکي نسبت به نيمه‌هادي اصلي کانال N يا کانال P با يک لايه بسيار نازک از ماده عايق‌ کننده (معمولاً اکسيد سيليکون) جدا شده است



Description

SIPMOS, a polysilicon gate technology derived from the standard LSI circuit manufacturing method is described. Pattern-changing techniques used in large-scale integration are sufficient. The most common isolated-gate FET used in current applications is the metal-semiconductor field-effect transistor, or MOSFET. An IGFET or MOSFET is a voltage-controlled field-effect transistor that differs from a JFET in that it has a "metal oxide" gate electrode that is electrically isolated from the main N-channel or P-channel semiconductor with a very thin layer of material. It is insulated. The separator (usually silicone) is removed







گروه بازرگانی اسکایتک

وارد كننده قطعات الکترونیک و نیمه هادی با بیش از پنج سال تجربه افتخار دارد با عرضه محصولات اصلی ، با كیفیت و استاندارد جهت ارج نهادن به سلیقه توزیع كنندگان متعهد در راستای حفاظت از منافع و مصالح مصرف كنندگان نهایی گام بردارد.
فروشگاه اسکای تک با حمایت كم نظیر مشتریان خوش نام و فعال به عنوان گروهی پیشرو در ایران ، موفق به اخذ نمایندگی انحصاری و توزیع بسیاری از كمپانی های معتبر جهان در یك مجموعه گردیده است . استقبال چشمگیر مشتریان صادق و مصرف كنندگان فهیم از خرید قطعات الکترونیک با كیفیت در مقابل قطعات نامرغوب و غیر استاندارد وارداتی، موجب گردآوری طیف وسیعی (بالغ بر 40000 قلم كالا)‌ از قطعات الکترونیک گوناگون دراین فروشگاه شده است.

کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد