Pماسفت کانال

TPC8109

MOSFETS P-Channel

کیفیت: ORIGINAL(distributor)       پکیج: SOP-8

قیمت تک فروشی  765,815  ریال

قیمت عمده  729,605  ریال (10 به بالا)

قیمت ویژه  715,121  ریال (100 به بالا)

قیمت فوق العاده707,879  ریال (1000 به بالا)

SKYTECH قیمت تک فروشی 1.06  تتر با تخفیف

6.055.765.645.59

    



تعداد موجودی در انبار : 10 عدد



در صورت موجود شدن خبر بده
افزودن به علاقه مندی ها


تعداد درخواست:  

   






روش اتصال SMD    
پکيج SOP-8    
حداکثر دماي کاري 150     سانتيگراد
حداقل دماي کاري -55     سانتيگراد
ولتاژ VDS 30     ولت
Id 10     آمپر
حداکثر توان مصرفي 1.9     وات
ظرفيت خازني ورودي Ciss 2260     پيکو فاراد
ظرفيت خازني خروجي Coss 350     پيکو فاراد
نوع کانال MOSFET P    
مجموع شارژ کامل Qg 45     نانو کولن



توضیحات

Translation is too long to be saved ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي (MOSFET، MOS-FET يا MOS FET) نوعي ترانزيستور اثر ميداني (FET) است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند. اين توانايي براي تغيير رسانايي با مقدار ولتاژ اعمال شده مي تواند براي تقويت يا سوئيچينگ سيگنال هاي الکترونيکي استفاده شود. ترانزيستور اثر ميداني فلز-عايق-نيمه هادي (MISFET) اصطلاحي است که تقريباً مترادف با ماسفت است. مترادف ديگر IGFET براي ترانزيستور اثر ميداني گيت عايق است.Save translation مقاومت ON منبع تخليه کم: RDS (ON) = 14 m? (نوع) • پذيرش انتقال به جلو بالا: |Yfs| = 19 S (نوع) • جريان نشتي کم: IDSS = -10 µA (حداکثر) (VDS = -30 ولت) • حالت تقويت: Vth = -0.8 تا -2.0 V (VDS = -10 V، ID = -1 mA)



Description

The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device. This ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals. A metal-insulator-semiconductor field-effect transistor (MISFET) is a term almost synonymous with MOSFET. Another synonym is IGFET for insulated-gate field-effect transistor.Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 14 m? (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 19 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = ?10 µA (max) (VDS = ?30 V) • Enhancement mode: Vth = ?0.8 to ?2.0 V (VDS = ?10 V, ID = ?1 mA)







گروه بازرگانی اسکایتک

وارد كننده قطعات الکترونیک و نیمه هادی با بیش از پنج سال تجربه افتخار دارد با عرضه محصولات اصلی ، با كیفیت و استاندارد جهت ارج نهادن به سلیقه توزیع كنندگان متعهد در راستای حفاظت از منافع و مصالح مصرف كنندگان نهایی گام بردارد.
فروشگاه اسکای تک با حمایت كم نظیر مشتریان خوش نام و فعال به عنوان گروهی پیشرو در ایران ، موفق به اخذ نمایندگی انحصاری و توزیع بسیاری از كمپانی های معتبر جهان در یك مجموعه گردیده است . استقبال چشمگیر مشتریان صادق و مصرف كنندگان فهیم از خرید قطعات الکترونیک با كیفیت در مقابل قطعات نامرغوب و غیر استاندارد وارداتی، موجب گردآوری طیف وسیعی (بالغ بر 40000 قلم كالا)‌ از قطعات الکترونیک گوناگون دراین فروشگاه شده است.

کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد