Pماسفت کانال
TPC8109
MOSFETS P-Channel
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOP-8
قیمت تک فروشی 765,815 ریال
قیمت عمده 729,605 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 715,121 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده707,879 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 1.06 تتر با تخفیف
6.055.765.645.59
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
1.9 وات |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
2260 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
350 پيکو فاراد |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
45 نانو کولن |
|
توضیحات
Translation is too long to be saved
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي (MOSFET، MOS-FET يا MOS FET) نوعي ترانزيستور اثر ميداني (FET) است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند. اين توانايي براي تغيير رسانايي با مقدار ولتاژ اعمال شده مي تواند براي تقويت يا سوئيچينگ سيگنال هاي الکترونيکي استفاده شود. ترانزيستور اثر ميداني فلز-عايق-نيمه هادي (MISFET) اصطلاحي است که تقريباً مترادف با ماسفت است. مترادف ديگر IGFET براي ترانزيستور اثر ميداني گيت عايق است.Save translation
مقاومت ON منبع تخليه کم: RDS (ON) = 14 m? (نوع) • پذيرش انتقال به جلو بالا: |Yfs| = 19 S (نوع) • جريان نشتي کم: IDSS = -10 µA (حداکثر) (VDS = -30 ولت) • حالت تقويت: Vth = -0.8 تا -2.0 V (VDS = -10 V، ID = -1 mA)
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device. This ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals. A metal-insulator-semiconductor field-effect transistor (MISFET) is a term almost synonymous with MOSFET. Another synonym is IGFET for insulated-gate field-effect transistor.Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 14 m? (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 19 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = ?10 µA (max) (VDS = ?30 V) • Enhancement mode: Vth = ?0.8 to ?2.0 V (VDS = ?10 V, ID = ?1 mA)
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد