|
ماسفت کانال N
P2610ASG
N-Channel Field Effect Transistor TO-263
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-263
قیمت تک فروشی 463,387 ریال
قیمت عمده 391,823 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 384,666 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده381,088 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.56 تتر با تخفیف
2.942.452.42.38
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
5020 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
311 پيکو فاراد |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
26 اهم |
|
|
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي (MOSFET، MOS-FET يا MOS FET) نوعي ترانزيستور اثر ميداني (FET) است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند. اين توانايي براي تغيير رسانايي با مقدار ولتاژ اعمال شده مي تواند براي تقويت يا سوئيچينگ سيگنال هاي الکترونيکي استفاده شود. ترانزيستور اثر ميداني فلز-عايق-نيمه هادي (MISFET) اصطلاحي است که تقريباً مترادف با ماسفت است. مترادف ديگر IGFET براي ترانزيستور اثر ميداني گيت عايق است
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device. This ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals. A metal-insulator-semiconductor field-effect transistor (MISFET) is a term almost synonymous with MOSFET. Another synonym is IGFET for insulated-gate field-effect transistor
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد