ترانزیستور PNP
MMBT2907A (2F)
60 V PNP General-Purpose Transistor
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-23 3L
قیمت تک فروشی 34,868 ریال
قیمت عمده 28,645 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 28,147 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده27,898 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.049 تتر با تخفیف
0.250.20.190.19
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
+150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
توضیحات
ترانزيستور پيوند دوقطبي (BJT) نوعي ترانزيستور است که از الکترون ها و سوراخ هاي الکتروني به عنوان حامل بار استفاده مي کند. در مقابل، يک ترانزيستور تک قطبي، مانند ترانزيستور اثر ميدان، تنها از يک نوع حامل بار استفاده مي کند. يک ترانزيستور دوقطبي به يک جريان کوچک تزريق شده در يکي از پايانه هاي خود اجازه مي دهد تا جريان بسيار بيشتري را که بين ترمينال ها جريان مي يابد کنترل کند و دستگاه را قادر به تقويت يا سوئيچينگ مي کند.
BJT ها از دو اتصال p-n بين دو نوع نيمه هادي، نوع n و نوع p استفاده مي کنند، که مناطقي در يک بلور از مواد هستند. اتصالات را مي توان به چندين روش مختلف، مانند تعويض
دوپينگ مواد نيمه هادي در حين رشد، با رسوب گلوله هاي فلزي براي تشکيل اتصالات آلياژي، يا با روش هايي مانند انتشار مواد دوپينگ نوع n و p در کريستال. پيش بيني پذيري و عملکرد عالي ترانزيستورهاي اتصال به سرعت ترانزيستور نقطه تماس اصلي را جابجا کرد. ترانزيستورهاي پراکنده، همراه با ساير اجزاء، عناصر مدارهاي مجتمع براي عملکردهاي آنالوگ و ديجيتال هستند. صدها ترانزيستور اتصال دوقطبي را مي توان در يک مدار با هزينه بسيار کم ساخت.
Description
A bipolar junction transistor (BJT) is a type of transistor that uses both electrons and electron holes as charge carriers. In contrast, a unipolar transistor, such as a field-effect transistor, uses only one kind of charge carrier. A bipolar transistor allows a small current injected at one of its terminals to control a much larger current flowing between the terminals, making the device capable of amplification or switching.
BJTs use two p–n junctions between two semiconductor types, n-type and p-type, which are regions in a single crystal of material. The junctions can be made in several different ways, such as changing the
doping of the semiconductor material as it is grown, by depositing metal pellets to form alloy junctions, or by such methods as diffusion of n-type and p-type doping substances into the crystal. The superior predictability and performance of junction transistors quickly displaced the original point-contact transistor. Diffused transistors, along with other components, are elements of integrated circuits for analog and digital functions. Hundreds of bipolar junction transistors can be made in one circuit at very low cost.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد