ماسفت کانال N

OSG55R140F

550V 23A N-Channel MOSFET

کیفیت: ORIGINAL(distributor)       پکیج: TO-220

قیمت تک فروشی  801,657  ریال

قیمت عمده  751,375  ریال (10 به بالا)

قیمت ویژه  737,548  ریال (100 به بالا)

قیمت فوق العاده730,634  ریال (1000 به بالا)

SKYTECH قیمت تک فروشی 1.138  تتر با تخفیف

5.785.395.285.23

    



تعداد موجودی در انبار : 69 عدد



در صورت موجود شدن خبر بده
افزودن به علاقه مندی ها


تعداد درخواست:  

   






روش اتصال DIP    
پکيج TO-220    
نوع محصول MOSFET    
حداکثر دماي کاري 150     سانتيگراد
حداقل دماي کاري -55     سانتيگراد
ولتاژ VDS 550     ولت
Id 23     آمپر
حداکثر توان مصرفي 59.5     وات
حداکثر (Vgs(th 4     ولت
(td(ON 40.5     نانو ثانيه
(td(OFF 63.6     نانو ثانيه
زمان خيز Tr 73.5     نانو ثانيه
حداقل (Vgs(th 2     ولت
ظرفيت خازني ورودي Ciss 1408.8     پيکو فاراد
ظرفيت خازني خروجي Coss 151.2     پيکو فاراد
مقاومت روشن درين سورس (Rds) 0.14     اهم
نوع کانال MOSFET N    
مجموع شارژ کامل Qg 24.1     نانو کولن



توضیحات

ماسفت يا ترانزيستور اثر ميداني نيمه‌رسانا-اکسيد-فلز (به انگليسي: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor MOSFET ) . معروف‌ترين ترانزيستور اثر ميدان در مدارهاي آنالوگ و ديجيتال است. در ترانزيستور اثرِ ميدان ( FET ) چنان که از نام اش پيداست، پايه کنترلي، جرياني مصرف نمي‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ايجاد ميدان درون نيمه رسانا، جريان عبوري از FET کنترل مي‌شود. از همين روي ورودي اين مدار هيچ اثر بارگذاري بر روي طبقات تقويت قبلي نمي‌گذارد و امپدانس بسيار بالايي دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزيستور JFET در اين است که گيت ترانزيستورهاي ماسفت توسط لايه‌اي از اکسيد سيليسيم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به اين دليل به ماسفتها فِت با گيت مجزا (به انگليسي: IGFET ، Insulated Gate FET) نيز گفته ميشود. مدارهاي مجتمع بر پايه فناوري ترانزيستورهاي اثرِ ميدانِ MOS را مي‌توان بسيار ريزتر و ساده‌تر از مدارهاي مجتمع بر پايه ترانزيستورهاي دوقطبي ساخت، بي آن که (حتي در مدارها و تابع‌هاي پيچيده و مقياس‌هاي بزرگ ) نيازي به مقاومت، ديود يا ديگر قطعه‌هاي الکترونيکي داشته باشند. همين ويژگي، توليدِ انبوهِ آن‌ها را آسان مي‌کند، چندان که هم اکنون بيش‌تر از 85 درصدِ مدارهاي مجتمع، بر پايه فناوريِ MOS طراحي و ساخته مي‌شوند.



Description

OSG55R140xF use advanced GreenMOSTM technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is suitable for active power factor correction and switching mode power supply applications. Features Applications Low RDS(on) & FOM Lighting Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger







گروه بازرگانی اسکایتک

وارد كننده قطعات الکترونیک و نیمه هادی با بیش از پنج سال تجربه افتخار دارد با عرضه محصولات اصلی ، با كیفیت و استاندارد جهت ارج نهادن به سلیقه توزیع كنندگان متعهد در راستای حفاظت از منافع و مصالح مصرف كنندگان نهایی گام بردارد.
فروشگاه اسکای تک با حمایت كم نظیر مشتریان خوش نام و فعال به عنوان گروهی پیشرو در ایران ، موفق به اخذ نمایندگی انحصاری و توزیع بسیاری از كمپانی های معتبر جهان در یك مجموعه گردیده است . استقبال چشمگیر مشتریان صادق و مصرف كنندگان فهیم از خرید قطعات الکترونیک با كیفیت در مقابل قطعات نامرغوب و غیر استاندارد وارداتی، موجب گردآوری طیف وسیعی (بالغ بر 40000 قلم كالا)‌ از قطعات الکترونیک گوناگون دراین فروشگاه شده است.

کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد