ماسفت کانال N

GP47S60X

600V 47A N-Channel MOSFET

کیفیت: ORIGINAL(distributor)       پکیج: TO-247

قیمت تک فروشی  1,168,163  ریال

قیمت عمده  1,111,470  ریال (10 به بالا)

قیمت ویژه  1,091,061  ریال (100 به بالا)

قیمت فوق العاده1,080,856  ریال (1000 به بالا)

SKYTECH قیمت تک فروشی 1.85  تتر با تخفیف

9.128.648.478.38
    

تعداد موجودی در انبار : موجودی تمام شده است



در صورت موجود شدن خبر بده
افزودن به علاقه مندی ها

تعداد درخواست:  

   





روش اتصال DIP    
نوع محصول MOSFET    
حداکثر دماي کاري 150     سانتيگراد
حداقل دماي کاري -55     سانتيگراد
ولتاژ VDS 650     ولت
Id 47     آمپر
حداکثر توان مصرفي 250     وات
حداکثر ولتاژ گيت-سورس 20     ولت
مقاومت روشن درين سورس (Rds) 81     اهم
نوع کانال MOSFET N    
مجموع شارژ کامل Qg 39     نانو کولن



توضیحات

ماسفت يا ترانزيستور اثر ميداني نيمه‌رسانا-اکسيد-فلز (به انگليسي: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor MOSFET ) . معروف‌ترين ترانزيستور اثر ميدان در مدارهاي آنالوگ و ديجيتال است. در ترانزيستور اثرِ ميدان ( FET ) چنان که از نام اش پيداست، پايه? کنترلي، جرياني مصرف نمي‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ايجاد ميدان درون نيمه رسانا، جريان عبوري از FET کنترل مي‌شود. از همين روي ورودي اين مدار هيچ اثر بارگذاري بر روي طبقات تقويت قبلي نمي‌گذارد و امپدانس بسيار بالايي دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزيستور JFET در اين است که گيت ترانزيستورهاي ماسفت توسط لايه‌اي از اکسيد سيليسيم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به اين دليل به ماسفتها فِت با گيت مجزا (به انگليسي: IGFET ، Insulated Gate FET) نيز گفته ميشود. مدارهاي مجتمع بر پايه فناوري ترانزيستورهاي اثرِ ميدانِ MOS را مي‌توان بسيار ريزتر و ساده‌تر از مدارهاي مجتمع بر پايه ترانزيستورهاي دوقطبي ساخت، بي آن که (حتي در مدارها و تابع‌هاي پيچيده و مقياس‌هاي بزرگ ) نيازي به مقاومت، ديود يا ديگر قطعه‌هاي الکترونيکي داشته باشند. همين ويژگي، توليدِ انبوهِ آن‌ها را آسان مي‌کند، چندان که هم اکنون بيش‌تر از 85 درصدِ مدارهاي مجتمع، بر پايه فناوريِ MOS طراحي و ساخته مي‌شوند.



Description

GP47S60 GP47S60H POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional and safety margin against unexpected voltage transients






گروه بازرگانی اسکایتک

وارد كننده قطعات الکترونیک و نیمه هادی با بیش از پنج سال تجربه افتخار دارد با عرضه محصولات اصلی ، با كیفیت و استاندارد جهت ارج نهادن به سلیقه توزیع كنندگان متعهد در راستای حفاظت از منافع و مصالح مصرف كنندگان نهایی گام بردارد.
فروشگاه اسکای تک با حمایت كم نظیر مشتریان خوش نام و فعال به عنوان گروهی پیشرو در ایران ، موفق به اخذ نمایندگی انحصاری و توزیع بسیاری از كمپانی های معتبر جهان در یك مجموعه گردیده است . استقبال چشمگیر مشتریان صادق و مصرف كنندگان فهیم از خرید قطعات الکترونیک با كیفیت در مقابل قطعات نامرغوب و غیر استاندارد وارداتی، موجب گردآوری طیف وسیعی (بالغ بر 40000 قلم كالا)‌ از قطعات الکترونیک گوناگون دراین فروشگاه شده است.

قوانین
ارتباط با فروشگاه ارتباط با واحد فروش ارتباط با واحد پشتیبانی فنی انتقادات و پیشنهادات قوانین و شرایط سایت
دسترسی های سایت
نقشه سایت درباره ما سوالات متداول شماره حساب ها

کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد