|
آی سی حافظه DRAM
IS42S16800E-7TL
OVERVIEW ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture.
کیفیت: Not original(copy) پکیج: 54- TSOPII
قیمت تک فروشی 1,299,234 ریال
قیمت عمده 1,184,667 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,161,754 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,150,297 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 2.063 تتر با تخفیف
10.679.79.519.41
|
توضیحات
ايسي IS42S16800E-7TL يک ايسي از نوع DRAM سنکرون 128مگابيت با سرعت بالا ميباشد.
ويژگي ها:
پشتيباني از فرکانس کاري 200و166و143و133 مگاهرتز
رفرش خودکار
4096 چرخه ي رفرش هر 64 ميلي ثانيه
DRAMکه به اختصار کوتاه شده جمله Dynamic Random Access Memory است يکي از رايج ترين ماژول هاي RAM موجود در PC ها و Workstation ها است. DRAM ها اطلاعات(همان مستطيل هاي سياهاي که روي رم وجود دارد) را در يک سلول که شامل يک خازن و ترانزيستور است ذخيره مي کند، با توجه به اين طراحي، اين سلول ها بايد هر چند ميلي ثانيه برق خود را براي نگهداري اطلاعات Refresh کنند. DRAM اولين بار توسط رابرت دنارد در سال 1968 اختراع و ثبت شد و اولين بار در اکتبر سال 1970 توسط اينتل توسط اينتل منتشر شد
Description
OVERVIEW
ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed
data transfer using pipeline architecture. All inputs and
outputs signals refer to the rising edge of the clock input.
The 128Mb SDRAM is organized as follows.
FEATURES
Clock frequency: 200, 166, 143, 133 MHz
Fully synchronous; all signals referenced to a
positive clock edge
Internal bank for hiding row access/precharge
Power supply
Vdd Vddq
IS42S81600E 3.3V 3.3V
IS42S16800E 3.3V 3.3V
LVTTL interface
Programmable burst length
– (1, 2, 4, 8, full page)
Programmable burst sequence:
Sequential/Interleave
Auto Refresh (CBR)
Self Refresh
4096 refresh cycles every 64 ms
Random column address every clock cycle
Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
Burst read/write and burst read/single write
operations capability
Burst termination by burst stop and precharge
command
Industrial Temperature Availability
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد