ملسفت کانال N
FDC6303 SMD
FDC6303N: Dual N-Channel Digital FET 25V, 0.68A, 0.45Ω
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SMD
قیمت تک فروشی 347,366 ریال
قیمت عمده 321,968 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 315,619 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده312,444 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.493 تتر با تخفیف
2.672.482.432.4
|
حداقل دماي کاري |
-50 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
8 ولت |
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
50 پيکو فاراد |
|
|
حداکثر توان مصرفي |
0.9 وات |
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
28 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.45 اهم |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
2.3 نانو کولن |
|
توضیحات
اين ترانزيستورهاي افکت ميداني حالت بهبود سطح منطقي دو کاناله N با استفاده از فناوري DMOS اختصاصي Fairchild با چگالي سلولي بالا توليد ميشوند. اين فرآيند با چگالي بسيار بالا به ويژه براي به حداقل رساندن مقاومت در حالت تنظيم شده است. اين دستگاه به ويژه براي کاربردهاي ولتاژ پايين به عنوان جايگزيني براي ترانزيستورهاي ديجيتال در کاربردهاي سوئيچينگ بار طراحي شده است. از آنجايي که به مقاومتهاي باياس نيازي نيست، اين FET يک کانال N ميتواند چندين ترانزيستور ديجيتال را با مقاومتهاي باياس مختلف مانند سري IMHxA جايگزين کند.
Description
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-Channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد