ماسفت کانال N
BUZ384
SIPMOS Power Transistor (N-channel Enhancement mode FREDFET)
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-218 AA
قیمت تک فروشی 805,738 ریال
قیمت عمده 743,944 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 731,585 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده725,406 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 1.118 تتر با تخفیف
5.394.94.84.75
|
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
125 وات |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
80 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
110 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
3800 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
250 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
100 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.55 اهم |
|
|
توضیحات
SIPMOS يک فرآيند توليد براي اجزاي اثر ميداني MOS است. فناوري SIPMOS يک فناوري گيت پلي سيليکوني است که از تکنيک هاي انتقال الگو از ادغام در مقياس بزرگ استفاده مي کند. ترانزيستورهاي قدرت SIPMOS نوعي ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي (MOSFET) هستند. ماسفت ها به گونه اي طراحي شده اند که سطوح توان قابل توجهي را مديريت کنند. آنها سرعت سوئيچينگ بالايي دارند و در مقايسه با ساير دستگاه هاي نيمه هادي قدرت برتر هستند
Description
SIPMOS is a manufacturing process for MOS field-effect components. SIPMOS technology is a polysilicon gate technology that uses pattern transfer techniques from large-scale integration.
SIPMOS power transistors are a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET). MOSFETs are designed to handle significant power levels. They have high switching speeds and are advantageous compared to other power semiconductor devices
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد