|
ماسفت کانال N
K8A50D
500V 7.5A N-channel Mosfet
کیفیت: Bulk(فله ایی) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 623,516 ریال
قیمت عمده 480,387 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 471,799 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده467,505 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.754 تتر با تخفیف
3.922.942.882.85
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| زمان خيز Tr |
20 نانو ثانيه |
|
| حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
850 اهم |
|
|
|
توضیحات
«ترانزيستور اثر ميدان نيمه‌رساناي اکسيد فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) يا ماسفت، يک گزينه عالي براي تقويت‌کننده‌هاي خطي سيگنال کوچک است، زيرا امپدانس ورودي آن بسيار زياد است که باياس آن را ساده مي‌کند. براي اينکه يک ماسفت، خاصيت تقويت کنندگي خطي داشته باشد، برخلاف ترانزيستور دوقطبي، بايد در ناحيه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزيستور دوقطبي بايد حول يک نقطه کار ثابت مرکزي باياس شود. ماسفت‌ها در ناحيه هدايت خود جريان را عبور مي‌دهند که «کانال» (Channel) ناميده مي‌شود. با اعمال ولتاژ مناسب به گيت، مي‌توان اين کانال هدايت را بزرگ‌تر يا کوچک‌تر کرد. اعمال اين ولتاژ گيت به ترانزيستور، بر مشخصه الکتريکي کانال اثر خواهد گذاشت و يک ميدان الکتريکي حول پايه گيت القا مي‌کند. به همين دليل است که اين ترانزيستر، اثر ميدان ناميده مي‌شود.
Description
The metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET), also known as the metal-oxide-silicon transistor (MOS transistor, or MOS), is a type of insulated-gate field-effect transistor that is fabricated by the controlled oxidation of a semiconductor, typically silicon. The voltage of the covered gate determines the electrical conductivity of the device; this ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد